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STMicroelectronics SiC MOSFET

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결과: 68

적용된 필터:

브랜드 = STMicroelectronics

장착 스타일

패키지/케이스

트랜지스터 극성

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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부품 번호

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: ₩23,709.6
2,311재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTL35N65G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

STMicroelectronics stm hb igbt 에 대해

데이터시트

2,311재고 상태

컷 테이프

₩23,709.6

₩16,753.6

₩15,406.8

₩15,392

₩14,814.8

릴

₩14,385.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩16,753.6
880재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

880재고 상태

컷 테이프

₩16,753.6

₩11,203.6

₩9,797.6

₩9,782.8

릴

₩9,161.2

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: ₩25,456
549재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTW40N120G2VAG

Mouser 부품 번호
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

549재고 상태

₩25,456

₩15,791.6

₩15,762

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
1: ₩48,174
702재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTW70N120G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTW70N120G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해

데이터시트

702재고 상태

₩48,174

₩35,401.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

21 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: ₩43,156.8
1,597재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTL90N65G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

1,597재고 상태

컷 테이프

₩43,156.8

₩33,004

₩32,930

₩32,915.2

릴

₩30,828.4

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩29,718.4
5재고 상태
600예상 2027-02-08
신제품

제조업체 부품 번호
SCT019HU120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT019HU120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

5재고 상태

600예상 2027-02-08

컷 테이프

₩29,718.4

₩24,449.6

₩21,149.2

릴

₩18,692.4

최소: 1
배수: 1

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: ₩33,921.6
45재고 상태
600예상 2026-06-03

제조업체 부품 번호
SCTW90N65G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

45재고 상태

600예상 2026-06-03

₩33,921.6

₩31,538.8

₩29,940.4

견적

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩30,695.2
635재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT012W90G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT012W90G3-4AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

635재고 상태

₩30,695.2

₩20,024.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩34,498.8
745재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT016H120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT016H120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

745재고 상태

컷 테이프

₩34,498.8

₩24,967.6

₩24,923.2

₩24,908.4

릴

₩23,265.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩30,354.8
418재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT020HU120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT020HU120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

418재고 상태

컷 테이프

₩30,354.8

₩25,160

₩21,756

릴

₩20,202

견적

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩18,796
968재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT027H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT027H65G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

968재고 상태

컷 테이프

₩18,796

₩13,142.4

₩11,425.6

릴

₩10,670.8

견적

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩19,994.8
607재고 상태
600예상 2026-08-10
신제품

제조업체 부품 번호
SCT040HU120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040HU120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

607재고 상태

600예상 2026-08-10

컷 테이프

₩19,994.8

₩14,000.8

₩12,343.2

릴

₩12,106.4

₩11,529.2

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩12,624.4
1,764재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT055TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT055TO65G3

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

1,764재고 상태

컷 테이프

₩12,624.4

₩8,658

₩7,636.8

₩6,941.2

₩6,349.2

릴

₩6,349.2

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩14,193.2
37재고 상태
1,800예상 2026-06-15
신제품

제조업체 부품 번호
SCT040TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT040TO65G3

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

37재고 상태

1,800예상 2026-06-15

컷 테이프

₩14,193.2

₩10,685.6

₩7,932.8

₩7,903.2

₩7,636.8

릴

₩7,400

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: ₩30,428.8
106재고 상태
1,000예상 2026-08-17

제조업체 부품 번호
SCT012H90G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

106재고 상태

1,000예상 2026-08-17

컷 테이프

₩30,428.8

₩21,844.8

₩21,223.2

릴

₩19,802.4

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩22,910.4
169재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT018H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

169재고 상태

컷 테이프

₩22,910.4

₩16,176.4

₩15,569.6

₩14,740.8

릴

₩13,764

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩26,432.8
527재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT018W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

527재고 상태

₩26,432.8

₩19,580.4

₩13,912

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩27,972
448재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT020W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

448재고 상태

₩27,972

₩17,789.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩30,414
533재고 상태
1,200예상 2026-09-14

제조업체 부품 번호
SCT025W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

533재고 상태

1,200예상 2026-09-14

₩30,414

₩19,136.4

₩17,360.4

₩16,472.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩26,743.6
459재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT025W120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

459재고 상태

₩26,743.6

₩19,565.6

₩17,182.8

견적

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩25,160
328재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT027W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

328재고 상태

₩25,160

₩24,050

₩10,907.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩19,462
586재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

586재고 상태

₩19,462

₩13,601.2

₩11,129.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩19,314
584재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

584재고 상태

₩19,314

₩13,497.6

₩11,011.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ₩16,028.4
537재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

537재고 상태

₩16,028.4

₩9,590.4

₩9,116.8

₩8,687.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩18,559.2
635재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

635재고 상태

₩18,559.2

₩13,438.4

₩10,996.4

₩10,981.6

₩10,463.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

STMicroelectronics SiC MOSFET

고객 서비스 센터

회사

참고 자료

지원

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W