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SCT018H65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT018H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018H65G3AG
Price: 22600 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-SCT018H65G3AG

제조업체 번호:

SCT018H65G3AG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

설계 완성하기

데이터시트:

SCT018H65G3AG 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 202

재고:: 202 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 16 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩22,600.8	₩22,601
	₩15,957.8	₩159,578
	₩14,541.6	₩7,270,800
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩11,869.8	₩11,869,800

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	H2PAK-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	55 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	27 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.2 V
Qg - 게이트 전하:	79.4 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	385 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	25 ns
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	28 ns
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	56 ns
표준 턴-온 지연 시간:	25 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SCT018H65G3AG 데이터시트 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650 SiC(탄화규소) MOSFET

STMicroelectronics 650 SiC(Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항(R_DS(on))을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 고온에서도 면적 당 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. SiC MOSFET는 또한 모든 온도 범위에서 동급 최고의 IGBT에 비해 뛰어난 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 전력 전자 시스템의 열 설계를 간소화합니다.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.