STMicroelectronics 자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET
STMicroelectronics 자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET은 ST의 진보되고 혁신적인 2세대/3세대 SiC MOSFET 기술을 사용하여 개발되었습니다. 이 장치 는 단위 면적당 낮은 온 상태 저항과 매우 우수한 스위칭 성능이 특징입니다. 이 MOSFET은 매우 높은 작동 온도 성능 (TJ = 200°C)과 매우 빠르고 견고한 고유 본체 다이오드가 특징입니다.
특징
- AEC-Q101 인증
- 매우 높은 작동 온도 성능(TJ = +200°C)
- 매우 빠르고 강력한 진성 본체 다이오드
- 낮은 정전용량
애플리케이션
- 인버터용 트랙션
- EV/HEV용 DC-DC 컨버터
- OBC(보드 내장형 충전기)
SIC MOSFET 포트폴리오
콘텐츠 스트림
관련 제품
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs
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범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 |
|---|---|---|
| SCT020HU120G3AG |  |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package |
| SCT012W90G3-4AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package |
| SCT015W120G3-4AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package |
| SCT020W120G3-4AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package |
| SCT025W120G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package |
| SCT040W120G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package |
| SCT012H90G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package |
| SCT025W120G3-4AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package |
| SCT040HU65G3AG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A |
| SCTW40N120G2VAG | |
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H |
게시일: 2020-06-25
| 갱신일: 2026-02-03