SCTW90N65G2V

STMicroelectronics
511-SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V

제조업체:

설명:
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 47

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47
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600
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공장 리드 타임:
17
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수량 단가
합계
₩32,981.4 ₩32,981
₩29,521.2 ₩295,212
₩25,462.4 ₩2,546,240
₩25,447.8 ₩15,268,680

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
90 A
25 mOhms
- 10 V, + 22 V
1.9 V
157 nC
- 55 C
+ 200 C
390 W
Enhancement
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 16 ns
포장: Tube
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 38 ns
시리즈: SCTW90N
팩토리 팩 수량: 600
하위 범주: Transistors
기술: SiC
표준 턴-오프 지연 시간: 58 ns
표준 턴-온 지연 시간: 26 ns
단위 중량: 4.500 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

650 SiC(탄화규소) MOSFET

STMicroelectronics 650 SiC(Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항(RDS(on))을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 고온에서도 면적 당 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. SiC MOSFET는 또한 모든 온도 범위에서 동급 최고의 IGBT에 비해 뛰어난 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 전력 전자 시스템의 열 설계를 간소화합니다.

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