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SCT040H65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040H65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040H65G3AG
Price: 16527 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-SCT040H65G3AG

제조업체 번호:

SCT040H65G3AG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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데이터시트:

SCT040H65G3AG 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 969

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공장 리드 타임:: 16 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩16,527.2	₩16,527
	₩11,461	₩114,610
	₩9,679.8	₩967,980
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩7,898.6	₩7,898,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	30 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	40 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.2 V
Qg - 게이트 전하:	39.5 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	221 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
브랜드:	STMicroelectronics
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품:	MOSFETs
제품 유형:	SiC MOSFETS
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SCT040H65G3AG 데이터시트 (PDF)

PCN

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.

650 SiC(탄화규소) MOSFET

STMicroelectronics 650 SiC(Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항(R_DS(on))을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 고온에서도 면적 당 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. SiC MOSFET는 또한 모든 온도 범위에서 동급 최고의 IGBT에 비해 뛰어난 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 전력 전자 시스템의 열 설계를 간소화합니다.