STMicroelectronics SiC MOSFET

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패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
데이터시트
비재고 리드 타임 17 주
최소: 600
배수: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
데이터시트
비재고 리드 타임 17 주
최소: 1
배수: 1
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
데이터시트
비재고 리드 타임 17 주
최소: 600
배수: 600

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
릴: 600

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1
릴: 1,800

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
데이터시트
재고 없음
최소: 600
배수: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
데이터시트
비재고 리드 타임 17 주
최소: 1
배수: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
데이터시트
비재고 리드 타임 17 주
최소: 1
배수: 1

STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1
Through Hole STPAK-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 nC - 10 V, + 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 448
배수: 448

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 mOhms -10 V, 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 1
배수: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
데이터시트
재고 없음
최소: 600
배수: 600
릴: 600

STMicroelectronics SCT019H120G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
데이터시트
비재고 리드 타임 17 주
최소: 600
배수: 600

STMicroelectronics SCT055H65G3-7
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000