SCT018W65G3AG

STMicroelectronics
511-SCT018W65G3AG
SCT018W65G3AG

제조업체:

설명:
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
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라이프사이클:
신제품:
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데이터시트:
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STMicroelectronics
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
27 mOhms
-10 V, 22 V
4.2 V
76 nC
- 55 C
+ 200 C
398 W
Enhancement
브랜드: STMicroelectronics
구성: Single
하강 시간: 17 ns
포장: Tube
제품: SiC MOSFETS
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 8 ns
팩토리 팩 수량: 600
하위 범주: Transistors
기술: SiC
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 36 ns
표준 턴-온 지연 시간: 17 ns
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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