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SCT020H120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT020H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT020H120G3AG
Price: 27291 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-SCT020H120G3AG

제조업체 번호:

SCT020H120G3AG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A

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데이터시트:

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	₩21,859.6	₩218,596
	₩18,899.6	₩1,889,960
	₩18,884.8	₩9,442,400
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩16,709.2	₩16,709,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
자격:	AEC-Q100
브랜드:	STMicroelectronics
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	IT
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품 유형:	SiC MOSFETS
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SCT020H120G3AG 데이터시트 (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.