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SiC MOSFET

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결과: 59

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장착 스타일

패키지/케이스

트랜지스터 극성

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

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Pd - 전력 발산

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부품 번호

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩33,622.4
12재고 상태
600예상 2027-04-12
신제품

제조업체 부품 번호
SCT019HU120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT019HU120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

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12재고 상태

600예상 2027-04-12

컷 테이프

₩33,622.4

₩25,110.4

₩19,288.8

릴

₩19,197.6

최소: 1
배수: 1

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: ₩47,424
1,597재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTL90N65G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

1,597재고 상태

컷 테이프

₩47,424

₩34,732

₩33,911.2

₩31,692

릴

₩31,692

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: ₩26,068
2,311재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTL35N65G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

STMicroelectronics stm hb igbt 에 대해

데이터시트

2,311재고 상태

컷 테이프

₩26,068

₩18,422.4

₩15,823.2

₩14,774.4

릴

₩14,774.4

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: ₩27,983.2
551재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTW40N120G2VAG

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511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

551재고 상태

₩27,983.2

₩17,358.4

₩16,203.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩33,744
632재고 상태
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제조업체 부품 번호
SCT012W90G3-4AG

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511-SCT012W90G3-4AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

632재고 상태

₩33,744

₩21,264.8

견적

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩37,954.4
521재고 상태
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SCT016H120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT016H120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

521재고 상태

컷 테이프

₩37,954.4

₩27,436

₩27,025.6

₩26,098.4

릴

₩23,909.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩34,595.2
206재고 상태
600예상 2027-03-22
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제조업체 부품 번호
SCT020HU120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT020HU120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

206재고 상태

600예상 2027-03-22

컷 테이프

₩34,595.2

₩25,840

₩22,344

릴

₩19,775.2

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩20,687.2
955재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT027H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT027H65G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

955재고 상태

컷 테이프

₩20,687.2

₩14,440

₩11,734.4

릴

₩10,959.2

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩21,964
590재고 상태
600예상 2026-08-10
신제품

제조업체 부품 번호
SCT040HU120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040HU120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

590재고 상태

600예상 2026-08-10

컷 테이프

₩21,964

₩15,382.4

₩14,227.2

릴

₩12,433.6

₩11,840.8

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩13,908
1,754재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT055TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT055TO65G3

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

1,754재고 상태

컷 테이프

₩13,908

₩9,500

₩7,843.2

₩7,128.8

₩6,520.8

릴

₩6,520.8

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩29,214.4
465재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT018W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

465재고 상태

₩29,214.4

₩21,523.2

₩16,461.6

₩14,303.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩30,749.6
362재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT020W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

362재고 상태

₩30,749.6

₩19,228

₩18,285.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩30,947.2
341재고 상태
1,200예상 2026-08-31

제조업체 부품 번호
SCT025W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

341재고 상태

1,200예상 2026-08-31

₩30,947.2

₩22,131.2

₩19,076

₩16,932.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩28,804
433재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT025W120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

433재고 상태

₩28,804

₩17,920.8

₩16,811.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩23,636
301재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT027W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

301재고 상태

₩23,636

₩17,647.2

₩13,345.6

₩11,217.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩21,386.4
385재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

385재고 상태

₩21,386.4

₩14,956.8

₩11,430.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩21,112.8
505재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

505재고 상태

₩21,112.8

₩14,835.2

₩11,324

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ₩17,556
527재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

527재고 상태

₩17,556

₩10,533.6

₩9,393.6

₩8,922.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩20,398.4
481재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

481재고 상태

₩20,398.4

₩14,789.6

₩12,646.4

₩10,761.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩20,565.6
1,095재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT055HU65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

1,095재고 상태

컷 테이프

₩20,565.6

₩15,671.2

₩13,056.8

릴

₩11,400

₩10,868

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩20,550.4
308재고 상태
1,200예상 2026-08-10

제조업체 부품 번호
SCT070W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해

데이터시트

308재고 상태

1,200예상 2026-08-10

₩20,550.4

₩16,552.8

₩12,996

₩10,868

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: ₩33,455.2
54재고 상태
1,000예상 2026-08-17

제조업체 부품 번호
SCT012H90G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

54재고 상태

1,000예상 2026-08-17

컷 테이프

₩33,455.2

₩24,000.8

₩21,796.8

₩21,781.6

릴

₩20,368

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩25,186.4
145재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT018H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

145재고 상태

컷 테이프

₩25,186.4

₩17,768.8

₩16,978.4

₩15,139.2

릴

₩14,136

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩20,717.6
124재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040HU65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

124재고 상태

컷 테이프

₩20,717.6

₩14,455.2

₩11,749.6

릴

₩10,974.4

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩19,881.6
79재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT070H120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해

데이터시트

79재고 상태

컷 테이프

₩19,881.6

₩13,847.2

₩11,141.6

릴

₩10,412

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET

고객 서비스 센터

회사

참고 자료

지원

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W