MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 3225, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 100MHz, NC, 250 pcs T&R 8 mm 156재고 상태
500예상 2026-03-26
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 125 C SIT8918B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 50ppm, 3.3V, 33.33333MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 247재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

33.33333 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 100MHz, OE, LVDS, 1k pcs T&R 8 mm 132재고 상태
1,000예상 2026-03-13
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 47 mA - 40 C + 85 C SiT9120
SiTime MEMS 발진기 16MHz 3.3V 50ppm -40C +85C 449재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 71재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 1,162재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2.5x2.0, 50ppm, 2.25V-3.63V, 25MHz, ST, Default, 1k pcs T&R 8 mm 795재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 751재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 248재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 100MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 50재고 상태
250예상 2026-04-28
최소: 1
배수: 1
: 250

100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 190재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 8 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 297재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 80MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 98재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

80 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 10ppm, 3.3V, 64MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 160재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 64 MHz 10 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 31 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 10ppm, 2.5V, 25MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 251재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 32.768MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 245재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 32.768 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 1.89 V LVCMOS, LVTTL 29 mA - 40 C + 85 C SiT8208
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 25ppm, 3.3V, 12.288MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 91재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

12.288 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 1.8V, 37.125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 214재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

37.125 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 125MHz 2.5Volt LVDS 25ppm -40C +85C 362재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 125 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9120
SiTime MEMS 발진기 200MHz 50ppm 3.3V -40C to +85C 125재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 200 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9121

SiTime MEMS 발진기 12MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 1,012재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 12 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 772재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V -40C +85C 590재고 상태
500예상 2026-04-30
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 45 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 19.2MHz, ST, 3k pcs T&R 8 mm 1,702재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 19.2 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 200재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B