MEMS 발진기

결과: 36,982
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 패키지/케이스 주파수 주파수 안정성 부하 용량 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 출력 형식 전류 정격 최저 작동온도 최고 작동온도 자격 시리즈

SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2520, 20ppm, Default Dr Str, 2.25V-3.63V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 200재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SIT8918B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 3225, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 85재고 상태
250예상 2026-04-06
최소: 1
배수: 1
: 250

SIT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, 2016, 50ppm, Default Dr Str, 2.5V, 80MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 60재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 80 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, LVTTL 3.6 mA - 40 C + 125 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 121재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 3.8 mA - 40 C + 105 C SiT8918B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 203재고 상태
250예상 2026-05-11
최소: 1
배수: 1
: 250

33.333333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 100MHz LVDS 3.3V -40C +85C 35재고 상태
500예상 2026-03-03
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 100 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9120
SiTime MEMS 발진기 125MHz LVDS 25PPM 3.3V -40C +85C 147재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 125 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9121
SiTime MEMS 발진기 644.53125MHz 3.3V 25ppm -20C +70C 1재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 644.53125 MHz 25 PPM 2 pF 2.97 V 3.63 V LVDS - 20 C + 70 C SiT9367
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 75ppm -10C +70C 70재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 75 PPM 10 pF 1.2 V 3.63 V LVCMOS 1.3 uA - 10 C + 70 C
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 235재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 33.3333MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 942재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 33.3333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 24MHz 50ppm 1.8V -40C +85C 65재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 45 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 243재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 50ppm, 1.8V, 1MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 214재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

1 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 25ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 100재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2016, 50ppm, 3.3V, 26MHz, OE, T&R 755재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -20C +70C 3.3V 20ppm 41재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 20 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 213재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 343재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 128재고 상태
250예상 2026-03-23
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 138재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 12MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 251재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

12 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 52MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 861재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 52 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, T&R 990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 100MHz 2.5-3.3V -40C +85C 50ppm 881재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

100 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B