MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 12MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 899재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

12 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 16.384MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 144재고 상태
250예상 2026-03-13
최소: 1
배수: 1
: 250

16.384 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 83.333MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 207재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

83.333 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 105C, 2520, 50ppm, Default Dr Str, 3.3V, 12MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 146재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

12 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.5 mA - 40 C + 105 C SIT8918B
SiTime MEMS 발진기 26MHz 2.25V to 3.63V 40C to +125C 25 ppm 249재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 26 MHz 25 PPM 60 pF 2.5 V 3.3 V LVCMOS, LVTTL 4.8 mA - 40 C + 125 C AEC-Q100 SIT8924A
SiTime MEMS 발진기 -55 to 125C, 3225, 20ppm, Default Dr Str, 3.3V, 12MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 123재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 12 MHz 20 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4.8 mA - 55 C + 125 C SIT8924B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 1.8V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 156재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

33.333333 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V LVDS 20ppm 132재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SiT9121
SiTime MEMS 발진기 100MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 244재고 상태
250예상 2026-05-13
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9121

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 10ppm, 2.5V, 100MHz, OE, LVDS, 250 pcs T&R 8 mm 191재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

100 MHz 10 PPM 2.25 V 2.75 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C

SiTime MEMS 발진기 300MHZ +/-50ppm 3.3V+/-10% -20C+70C 135재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 300 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVDS 55 mA - 40 C + 85 C SIT9122

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 799재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 32.768kHz 100ppm -40C +85C 1,152재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.2 mm 32.768 kHz 100 PPM 10 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS - 40 C + 85 C
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 243재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 26MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 310재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 26 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 48MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 25재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B


SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V -40C +85C 98재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 45 C + 85 C SiT1602B


SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 995재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

7 mm x 5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm 1,251재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 125C, SOT23, 25ppm, Default Dr Str, 3.3V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 142재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SOT-23-5 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4 mA - 40 C + 125 C SiT2024B
SiTime MEMS 발진기 90MHz 3.3V 50ppm -20C +70C 500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

90 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 233재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 33.333333MHz 1.8V -40C +85C 20ppm 675재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.333333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 349재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 152재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B