MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 125MHz, 3.3V, 20ppm, -40 to 85C, 25pc T&R 7재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 25

PQFD-6 125 MHz 20 PPM 2 pF 2.97 V 3.63 V LVDS - 40 C + 85 C SiT9346
SiTime MEMS 발진기 405재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SOT-23-5 16 MHz 20 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, LVTTL 4 mA - 55 C + 125 C SiT2024B
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator High Perf Single LVPECL 895재고 상태
최소: 1
배수: 1

VDFN-6 100 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 20 C + 70 C DSC1101
Microchip Technology MEMS 발진기 7.0x5.0 -40 to 85C 25ppm,032.0000MHz 1,000재고 상태
최소: 25
배수: 25

DFN-4 32 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, PECL, 50MHz, 25PPM, 2.5-3.3V, -20 to 70C, 5.0x3.2mm 900재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-6 50 MHz 25 PPM 0 pF 2.25 V 3.63 V LVPECL 56.5 mA - 20 C + 70 C DSC1122
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 582재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

25 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 Differential MEMS Oscillator, -40 C to 105 C, 3.2 x 2.5mm, 10 ppm, 3.3V, 100.000000 MHz, n/a, Output Enable, Bulk 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
PQFD-6 100 MHz 10 PPM 2 pF 2.97 V 3.63 V LVDS - 40 C + 105 C
SiTime MEMS 발진기 856재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.9 mm x 2.8 mm 32.768 kHz 150 PPM 15 pF 1.5 V 3.63 V LVCMOS 2.8 uA - 40 C + 105 C
SiTime MEMS 발진기 33.333MHz +/-50ppm 1.8V -20C to 70C 815재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT1602A

SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz 3.3V -20 to 70C 50ppm 70재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 3225, 20ppm, 1.8V, 33.33333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 65재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 33.33333 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 752재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 1.8V, 48MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 501재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 589재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 899재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 24.576MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 197재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 24.576 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -20 to 70C, 5032, 20ppm, 3.3V, 32MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 10재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 32 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 212재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 2.5V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 220재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 1.8V, 90MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 2재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

90 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 27MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 180재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

27 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 20MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 16재고 상태
250예상 2026-03-03
최소: 1
배수: 1
: 250

20 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 8 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 24.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 29재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 24 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 33.333333MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 1,365재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

33.333333 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B