SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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650 SiC(탄화규소) MOSFET

STMicroelectronics 650 SiC(Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항(R_DS(on))을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 고온에서도 면적 당 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. SiC MOSFET는 또한 모든 온도 범위에서 동급 최고의 IGBT에 비해 뛰어난 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 전력 전자 시스템의 열 설계를 간소화합니다.

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결과: 11

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패키지/케이스

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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부품 번호

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩16,527.2
969재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

969재고 상태

컷 테이프

₩16,527.2

₩11,461

₩9,679.8

릴

₩7,898.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: ₩32,981.4
47재고 상태
600예상 2026-04-20

제조업체 부품 번호
SCTW90N65G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

47재고 상태

600예상 2026-04-20

₩32,981.4

₩29,521.2

₩25,462.4

₩25,447.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩18,425.2
1,082재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT027H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT027H65G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

1,082재고 상태

컷 테이프

₩18,425.2

₩12,964.8

₩11,271.2

릴

₩9,548.4

견적

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ₩15,826.4
547재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

547재고 상태

₩15,826.4

₩9,460.8

₩8,993.6

₩7,489.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩18,279.2
641재고 상태
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제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

641재고 상태

₩18,279.2

₩14,877.4

₩12,395.4

₩11,052.2

₩9,373.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩12,410
1,779재고 상태
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제조업체 부품 번호
SCT055TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT055TO65G3

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STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

1,779재고 상태

컷 테이프

₩12,410

₩9,037.4

₩7,533.6

₩6,701.4

₩5,971.4

릴

₩5,956.8

최소: 1
배수: 1

릴: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩14,016
37재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT040TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT040TO65G3

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

37재고 상태

컷 테이프

₩14,016

₩9,855

₩7,825.6

릴

₩6,380.2

최소: 1
배수: 1

릴: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩22,600.8
202재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT018H65G3AG

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511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

202재고 상태

컷 테이프

₩22,600.8

₩15,957.8

₩14,541.6

릴

₩11,869.8

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩23,199.4
532재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT018W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

532재고 상태

₩23,199.4

₩17,958

₩17,374

₩16,921.4

보기

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩18,279.2
57재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT055W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

57재고 상태

₩18,279.2

₩14,877.4

₩12,395.4

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견적

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: ₩14,381
비재고 리드 타임 16 주
신제품

제조업체 부품 번호
SCT018H65G3-7

Mouser 부품 번호
511-SCT018H65G3-7

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SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

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비재고 리드 타임 16 주

릴

₩14,381

최소: 1,000
배수: 1,000

릴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650 SiC(탄화규소) MOSFET

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