SiC MOSFET – Mouser 대한민국

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650 SiC(탄화규소) MOSFET

STMicroelectronics 650 SiC(Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항(R_DS(on))을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 고온에서도 면적 당 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. SiC MOSFET는 또한 모든 온도 범위에서 동급 최고의 IGBT에 비해 뛰어난 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 전력 전자 시스템의 열 설계를 간소화합니다.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

결과: 10

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패키지/케이스

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

부품 번호

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩28,393.6
455재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT018W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

455재고 상태

₩28,393.6

₩21,614.4

₩18,012

₩16,051.2

₩15,002.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩20,687.2
848재고 상태
Mouser의 신규

제조업체 부품 번호
SCT027H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT027H65G3AG

Mouser의 신규

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

848재고 상태

컷 테이프

₩20,687.2

₩14,440

₩11,734.4

릴

₩11,096

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ₩17,540.8
517재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

517재고 상태

₩17,540.8

₩10,533.6

₩9,393.6

₩9,028.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩20,398.4
481재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

481재고 상태

₩20,398.4

₩14,774.4

₩12,646.4

₩10,898.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩13,908
1,414재고 상태
Mouser의 신규

제조업체 부품 번호
SCT055TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT055TO65G3

Mouser의 신규

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

1,414재고 상태

컷 테이프

₩13,908

₩9,500

₩7,843.2

₩7,128.8

₩6,520.8

릴

₩6,520.8

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩25,186.4
45재고 상태
1,000예상 2027-02-05

제조업체 부품 번호
SCT018H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

45재고 상태

1,000예상 2027-02-05

컷 테이프

₩25,186.4

₩17,768.8

₩16,978.4

₩15,139.2

릴

₩14,136

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩18,407.2
831재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

831재고 상태

컷 테이프

₩18,407.2

₩12,768

₩10,077.6

릴

₩9,530.4

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩15,671.2
8재고 상태
1,800예상 2026-08-28
Mouser의 신규

제조업체 부품 번호
SCT040TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT040TO65G3

Mouser의 신규

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

8재고 상태

1,800예상 2026-08-28

컷 테이프

₩15,671.2

₩10,761.6

₩8,618.4

₩8,208

₩7,706.4

릴

₩7,706.4

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩22,845.6
7재고 상태
600주문 중

제조업체 부품 번호
SCT055W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

7재고 상태

600주문 중

₩22,845.6

₩17,404

₩15,580

₩12,631.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: ₩13,254.4
비재고 리드 타임 21 주
신제품

제조업체 부품 번호
SCT018H65G3-7

Mouser 부품 번호
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STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

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비재고 리드 타임 21 주

릴

₩13,254.4

최소: 1,000
배수: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650 SiC(탄화규소) MOSFET

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