SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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650 SiC(탄화규소) MOSFET

STMicroelectronics 650 SiC(Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항(R_DS(on))을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 고온에서도 면적 당 낮은 온 상태 저항을 제공합니다. SiC MOSFET는 또한 모든 온도 범위에서 동급 최고의 IGBT에 비해 뛰어난 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 전력 전자 시스템의 열 설계를 간소화합니다.

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결과: 10

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장착 스타일

패키지/케이스

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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부품 번호

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩29,140.8
363재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT018W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

데이터시트

363재고 상태

₩29,140.8

₩18,938.4

₩17,628

₩15,615.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩21,231.6
575재고 상태
1,000예상 2027-09-17

제조업체 부품 번호
SCT027H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

575재고 상태

1,000예상 2027-09-17

컷 테이프

₩21,231.6

₩12,074.4

₩12,043.2

릴

₩11,388

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ₩18,142.8
467재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

467재고 상태

₩18,142.8

₩9,937.2

₩9,266.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩20,935.2
481재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

481재고 상태

₩20,935.2

₩13,977.6

₩12,979.2

₩11,185.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩14,274
1,404재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT055TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

1,404재고 상태

컷 테이프

₩14,274

₩7,815.6

₩7,316.4

₩6,770.4

릴

₩6,770.4

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩25,849.2
24재고 상태
1,000예상 2027-01-29

제조업체 부품 번호
SCT018H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

24재고 상태

1,000예상 2027-01-29

컷 테이프

₩25,849.2

₩15,537.6

릴

₩14,695.2

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩18,891.6
656재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040H65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

656재고 상태

컷 테이프

₩18,891.6

₩10,623.6

₩10,342.8

릴

₩9,781.2

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: ₩15,990
8재고 상태
1,800예상 2027-02-05

제조업체 부품 번호
SCT040TO65G3

Mouser 부품 번호
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 에 대해

데이터시트

8재고 상태

1,800예상 2027-02-05

컷 테이프

₩15,990

₩11,263.2

₩8,361.6

₩7,800

릴

₩7,800

최소: 1
배수: 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩21,340.8
1재고 상태
600예상 2027-04-16

제조업체 부품 번호
SCT055W65G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

1재고 상태

600예상 2027-04-16

₩21,340.8

₩15,958.8

₩14,601.6

₩12,651.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1: ₩24,585.6
비재고 리드 타임 25 주
신제품

제조업체 부품 번호
SCT018H65G3-7

Mouser 부품 번호
511-SCT018H65G3-7

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 25 주

컷 테이프

₩24,585.6

₩17,300.4

₩14,570.4

릴

₩13,603.2

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650 SiC(탄화규소) MOSFET

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