Toshiba 자동차용 U-MOSX-H MOSFET
Toshiba 자동차용 U-MOSX-H MOSFET은 낮은 드레인 소스 온 저항으로 AEC-Q101 인증을 받았습니다. U-MOSX-H는 IDSS=10µA(최대)(VDS=100V)의 낮은 누설 전류가 특징입니다. 이 장치는 자동차, 스위칭 전압, 레귤레이터, DC-DC 컨버터 및 모터 드라이버와 같은 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- AEC-Q101 인증
- 낮은 드레인 소스 온 상태 저항: RDS(ON) = 1.6mΩ(표준)(VGS = 10V)
- 낮은 누설 전류: IDSS=10µA(최대)(VDS=100V)
- 강화 모드: Vth=2.5~3.5V(VDS=10V, ID=1mA)
애플리케이션
- 자동차
- 스위칭 전압 레귤레이터
- DC-DC 컨버터
- 모터 드라이버
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게시일: 2020-04-29
| 갱신일: 2025-08-19