자동차용 U-MOSIX-H 전력 MOSFET

Toshiba   자동차 용 U-MOSIX-H 전력 MOSFET은 자동차 애플리케이션에 이상적인 40V N-채널 전력 MOSFET입니다. 이 장치는 소형, 저 저항 SOP 고급(WF) 패키지로 제공됩니다. 이 장치는   낮은 온 저항이 특징으로, 전도 손실을 줄일 수 있습니다. U-MOSIX-H 시리즈는 Toshiba Electronic Devices 및 Storage Corporation’의 이전 시리즈(U-MOSIV)에 비해 스위칭 잡음을 낮춥니다.

결과: 13
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
포장
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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26,128재고 상태
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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757재고 상태
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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7,881재고 상태
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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17,266재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1,831재고 상태
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4,727재고 상태
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A
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2,440재고 상태
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Si Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)
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23,074재고 상태
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 420 A 410 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 110 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
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30,034재고 상태
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 610 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 81 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3,581재고 상태
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Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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989재고 상태
14,000주문 중
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릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
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13,044주문 중
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 74 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
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4,904예상 2026-06-15
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릴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 280 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel