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Toshiba 자동차용 U-MOSVI 전력 MOSFET

Toshiba 자동차용 U-MOSVI 전력 MOSFET은 자동차 애플리케이션용 -40V P-채널 전력 MOSFET입니다. 이 장치는 기존 제품의 경우 -6V에 비해 -4.5V의 게이트 드라이브 전압을 제공하며 DPAK+ 패키지로 제공됩니다. 이를 통해 배터리 전압이 떨어질 때도 시스템을 사용할 수 있습니다. MOSFET은 낮은 온 상태 저항이 특징입니다.

특징

  • 낮은 온 상태 저항:
    • RDS(ON) = 1.45mΩ(최대) @VGS = -10V(TJ200F04M3L)
    • RDS(ON) = 2.4MΩ(최대) @VGS = -10V(XPH3R114MC)
    • RDS(ON) = 3.6mΩ(표준) @VGS = -10V(XPH4R714MC)
    • RDS(ON) = 4.0mΩ(표준) @VGS = -10V(TJ80S04M3L)
    • RDS(ON) = 4.3mΩ(최대) @VGS =- 10V(TJ90S04M3L)
    • RDS(ON) = 4.8mΩ(표준) @VGS=-10V(TJ60S04M3L)
    • RDS(ON) = 7.0mΩ(표준) @VGS = -10V(TJ40S04M3L)
    • RDS(ON) = 7.4mΩ(표준) @VGS = -10V(XPN9R614MC)
    • RDS(ON) = 8.6mΩ(표준) @VGS = -10V(TJ60S06M3L)
    • RDS(ON) = 10.3mΩ(표준) @VGS = -10V(TJ40S04M3L)
    • RDS(ON) = 16.8mΩ(표준) @VGS = -10V(TJ30S06M3L)
    • RDS(ON) = 17mΩ(최대) (VGS = -10V) (TJ20S04M3L)
    • RDS(ON) = 33.8mΩ(표준) @VGS = -10V(TJ10S04M3L)
    • RDS(ON) = 38.5mΩ(최대) @VGS = -10V(TJ15S06M3L)
    • RDS(ON) = 80mΩ(표준) @VGS = -10V(TJ8S06M3L)
  • 낮은 게이트 드라이브 전압(-4.5V)
  • 좁은 게이트 임계 전압 범위: Vth= -1.0~-2.0V(좁은: 1V 범위)
  • 낮은 열 저항: Rth(ch-c)=0.83°C/W(최대)
  • 채널 온도 등급: Tch=175°C
  • 낮은 스위칭 잡음

애플리케이션

  • 로드 스위치(기계식 계전기 대체)
  • 모터 드라이브

회로 예시

Toshiba 자동차용 U-MOSVI 전력 MOSFET

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부품 번호 데이터시트 설명
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TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L,LXHQ 데이터시트 MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
게시일: 2020-04-29 | 갱신일: 2025-08-19