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Toshiba 자동차용 U-MOSVIII-H 전력 MOSFET

Toshiba   자동차용 U-MOSVIII-H 전력 MOSFET은  자동차 애플리케이션에 이상적인 100V N채널 전력 MOSFET입니다. 구리 커넥터를  사용하는 독점 기술로 낮은 온 저항이 특징입니다. 게이트 임계 전압 범위가 2.5V~3.5V로 좁아 스위칭 타임 공차가 줄어듭니다.

특징

  • 업계 최고의 낮은 온 상태 저항
    • RDS(ON)= 3.0mΩ(일반) @VGS = 10V(XPN3R804NC)
    • RDS(ON)= 6.11mΩ(최대) @VGS= 10V(TK60S10N1L/TK60F10N1L)
    • RDS(ON)= 6.31mΩ(최대) @VGS= 10V(TK60R10N1L)
  • 좁은 게이트 임계 전압 범위
    • Vth= 1.5V~2.5V(좁은: 1V 범위)(XPN3R804NC)
    • Vth= 2.5V~3.5V(좁은: 1V 범위)(TK60S10N1L/TK60F10N1L/TK60R10N1L)
  • 낮은 열 저항
    • Rth(ch-c)=0.83°C/W(최대) (TK60S10N1L)
    • Rth(ch-c)=0.73°C/W(최대) (TK60F10N1L/TK60R10N1L)
  • 정격 채널 온도: Tch = 175°C
  • 낮은 스위칭 잡음

애플리케이션

  • DC-DC 컨버터
  • 모터 드라이브
  • 전원 장치

회로 예제

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부품 번호 데이터시트 패키지/케이스 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Rds On - 드레인 소스 저항 Qg - 게이트 전하 Pd - 전력 발산
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ 데이터시트 TO-220SM-3 100 V 2.4 mOhms 122 nC 375 W
XPN12006NC,L1XHQ XPN12006NC,L1XHQ 데이터시트 TSON-8 40 V 23.7 mOhms 23 nC 65 W
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L,LXHQ 데이터시트 DPAK-3 (TO-252-3) 60 V 10.5 mOhms 26 nC 88.2 W
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ 데이터시트 SOP-8 30 V 770 uOhms 74 nC 170 W
XPW4R10ANB,L1XHQ XPW4R10ANB,L1XHQ 데이터시트 DSOP-8 100 V 4.1 mOhms 75 nC 170 W
XPH6R30ANB,L1XHQ XPH6R30ANB,L1XHQ 데이터시트 SOP-Advance-8 100 V 6.3 mOhms 52 nC 132 W
XPN3R804NC,L1XHQ XPN3R804NC,L1XHQ 데이터시트 TSON-Advance-8 40 V 3.8 mOhms 35 nC 100 W
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF 데이터시트 TSOP6F 60 V 36 mOhms 9.3 nC 1.5 W
XPH4R10ANB,L1XHQ XPH4R10ANB,L1XHQ 데이터시트 SOP-Advance-8 100 V 4.1 mOhms 75 nC 170 W
SSM6K819R,LXHF SSM6K819R,LXHF 데이터시트 TSOP6F 100 V 20.9 mOhms 8.5 nC 1.5 W
게시일: 2020-04-29 | 갱신일: 2026-02-03