ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC 쇼트키 장벽 다이오드

ROHM Semiconductor의 AEC-Q101 SiC 쇼트키 장벽 다이오드는 600V부터 항복 전압을 전달하며, 이는 실리콘 SBD의 상한선을 훨씬 상회합니다. AEC-Q101 다이오드는 SiC 소재를 사용하기 때문에 PFC 회로와 인버터에 적합한 소자입니다. 또한 역회복 시간이 극도로 짧아서 고속 스위칭 작동이 가능합니다. 이 덕분에 역회복 전하와 스위칭 손실이 최소화되어 최종 제품의 크기도 최소화할 수 있습니다. AEC-Q101 SiC 쇼트키 장벽 다이오드는 역방향 전압 범위 650~1,200V, 순방향 연속 전류 범위 1.2~260uA, 총 전력 손실 범위 48~280W 같은 특성을 제공합니다. TO-220, TO-247, TO-263 패키지로 생산되며, 최대 작동 온도는 +175°C입니다.