SiC(탄화 규소) 전력 소자

ROHM Semiconductor의 SiC 전력 소자는 규소만 사용한 전력 소자와 비교해서 절연 파괴 전계 강도 10배, 밴드 갭 3배, 열 전도성이 3배 높습니다. 덕분에 스위칭 손실과 온 상태 저항이 낮으며, 고온 작동을 지원합니다. 그 결과 전력 손실과 모듈 크기 모두 최소화했습니다. 설계 시 필요한 부품 수가 적어 설계 작업의 복잡도가 감소합니다.

이산 반도체의 유형
카테고리 보기 변경
결과: 60
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품 유형
기술
장착 스타일
패키지/케이스
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
데이터시트
2,719재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 DIODE: 10A 600V
데이터시트
627재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
376재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
506재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ
데이터시트
1,924재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC, SBD 650V 20A DPAK
데이터시트
2,142재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ
데이터시트
506재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
199재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
393재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
1,629재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC, SBD 650V 12A DPAK
데이터시트
576재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
352재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
데이터시트
3,968재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
360재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
데이터시트
1,021재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ
데이터시트
798재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
데이터시트
1,494재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-3PFM-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
데이터시트
695재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
477재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
데이터시트
6,417재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor MOSFET 모듈 Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
데이터시트
11재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
376재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFET 모듈 Mod: 1200V 180A (no Diode)
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET 모듈 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 DIODE: 6A 600V
데이터시트
649재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3