SiC(탄화 규소) 전력 소자

ROHM Semiconductor의 SiC 전력 소자는 규소만 사용한 전력 소자와 비교해서 절연 파괴 전계 강도 10배, 밴드 갭 3배, 열 전도성이 3배 높습니다. 덕분에 스위칭 손실과 온 상태 저항이 낮으며, 고온 작동을 지원합니다. 그 결과 전력 손실과 모듈 크기 모두 최소화했습니다. 설계 시 필요한 부품 수가 적어 설계 작업의 복잡도가 감소합니다.

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결과: 60
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
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348재고 상태
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배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ
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1,792재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
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199재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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1,629재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFET 모듈 Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
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11재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 DIODE: 10A 600V
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627재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
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376재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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506재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
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704재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
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6,355재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ
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798재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
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428재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
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169재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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61재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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150재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC
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215재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
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769재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor MOSFET 모듈 SIC Pwr Module Half Bridge
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4재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET 모듈 Mod: 1200V 180A (no Diode)
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2재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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87재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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2,642재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
데이터시트
784재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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389재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
데이터시트
1,137재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3