ROHM Semiconductor SiC(탄화 규소) 전력 소자
ROHM Semiconductor의 SiC 전력 소자는 규소만 사용한 전력 소자와 비교해서 절연 파괴 전계 강도 10배, 밴드 갭 3배, 열 전도성이 3배 높습니다. 덕분에 스위칭 손실과 온 상태 저항이 낮으며, 고온 작동을 지원합니다. 그 결과 전력 손실과 모듈 크기 모두 최소화했습니다. 설계 시 필요한 부품 수가 적어 설계 작업의 복잡도가 감소합니다.
특징
- 항복 전압 상승: 규소 대비 전계 강도 최대 10배
- 온도 범위 상승
- 규소 IGBT 대비 고속 스위칭 성능
- 소자당 온 상태 저항 감소: 전력 손실 대폭 감소
애플리케이션
- 스위칭 모드 전원장치
- 태양광 인버터
- UPS
- EV 충전기
- 유도 가열 장비
- 모터 드라이브
- 기차
- 풍력 변환기
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게시일: 2016-09-27
| 갱신일: 2025-02-20