onsemi PowerTrench 기술
onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.
블록 선도
특징
- 더 높은 주파수에서 스위칭 손실을 낮추어 고주파 스위치 중 열로 손실되는 에너지 최소화
- 더나은 열 발산으로 주어진 전력 레벨에서 발열 감소
- 보다 낮은 RDS(on) 으로 인한 전도 손실 개선으로 온 상태 동안 저항을 줄여 전도 전력 손실 감소
- 더 작고 더 높은 전력 밀도 패키지는 더 컴팩트한 전자 설계를 향한 추세 지원
- 엄격한 자동차 기준을 충족하는 AEC 인증 40V ~ 80V T10 MOSFET
- 이전 세대 대비 30% ~ 40% Rsp 감소로 특정 저항을 줄임으로써 전력 밀도 증가
- Qg, Qsw 및 Qoss 가 2배 감소하여 스위칭 손실을 줄이고, 효율성 향상
- 더 부드러운 복구 다이오드 및 낮은 Qrr 로 공명, 오버슈트, EMI/잡음 감소
- 10%가 더 높은 UIS 기능으로 지정된 조건에서 더 높은 전류 허용
비디오
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