NTMFS3D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D2N10MDT1G
Price: 6146 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NTMFS3D2N10MDT1G

제조업체 번호:

NTMFS3D2N10MDT1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET PTNG 100V LOW Q32MOHM N-FET HE SO8FL

데이터시트:

NTMFS3D2N10MDT1G 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NTMFS3D2N10MDT1G에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 0

이 제품을 이월 주문으로 여전히 구매하실 수 있습니다.

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 2,741

예상 2026-03-13
공장 리드 타임:: 33

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

이 제품은 리드 타임이 깁니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩6,146.6	₩6,147
	₩4,088	₩40,880
	₩3,431	₩343,100
	₩2,701	₩1,350,500
	₩2,263	₩2,263,000
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩2,263	₩3,394,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	142 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	3.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	48 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	155 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PowerTrench
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	onsemi
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	NTMFS3D2N10MD
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NTMFS3D2N10MDT1G 데이터시트

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS3D2N10MD N-채널 MOSFET

Onsemi NTMFS3D2N10MD N-채널 MOSFET은 차폐식 게이트 기술을 통합하는 고급 PowerTrench^® 프로세스를 사용하여 설계되었습니다. 이 프로세스는 전도 손실을 최소화하면서도 우수한 스위칭 성능을 유지하기 위해 온 상태 저항 R_DS(on) 를 최소화하도록 최적화되었습니다. NTMFS3D2N10MD MOSFET은 드라이버 손실 최소화를 위한 낮은 Q_G 및 정전용량, 낮은 Q_RR, 소프트 복구 바디 다이오드 및 경부하 효율 개선을 위한 낮은 Q_OSS 가 특징입니다. 일반적으로 절연형 DC-DC 컨버터의 1차 스위치, AC-DC 어댑터, DC-DC 및 AC-DC의 동기식 정류, BLDC 모터, 부하 스위치 및 태양광 인버터에 사용됩니다.

PowerTrench 기술

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.