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onsemi 40V 전력 MOSFET

Onsemi 40 V 전력 MOSFET 표준 게이트 레벨 기술을 특징으로 하며 동급 최고의 온 저항을 자랑합니다. Onsemi MOSFET은 모터 드라이버 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 이 장치는 낮은 온 저항과 감소된 게이트 전하로 전도 및 구동 손실을 효과적으로 최소화합니다. 또한 이 MOSFET은 바디 다이오드의 역회복을 위한 탁월한 연성 제어 기능을 제공하여 애플리케이션에서 추가 스너버 회로를 사용할 필요 없이 전압 스파이크 응력을 효과적으로 완화합니다.

특징

  • 전도 손실을 최소화하는 낮은 RDS(on)
  • 소프트 리커버리 기능을 갖춘 낮은 Qrr로 ERR 손실 및 전압 스파이크 최소화
  • 구동 및 스위칭 손실을 최소화하는 낮은 Qg 및 정전용량
  • 무연, 무할로겐/무 BFR 및 RoHS 준수

애플리케이션

  • 높은 스위칭 주파수 DC-DC 변환
  • 동기식 정류

블록 선도

블록 선도 - onsemi 40V 전력 MOSFET

관련 솔루션

onsemi 로보틱스/AMR 솔루션

자율주행차와 유사한 기능을 갖추고 있으며 하위 시스템으로 구성된 복잡한 설계입니다.

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onsemi PowerTrench 기술

Represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10.

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onsemi T10 저/중전압 MOSFET

향상된 성능과 향상된 시스템 효율성을 갖춘 40V 및 80V의 단일 N-채널 MOSFET.

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부품 번호 데이터시트 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G 데이터시트 40 V 509 A 420 uOhms
NTMFS0D5N04XLT1G NTMFS0D5N04XLT1G 데이터시트 40 V 455 A 490 uOhms
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G 데이터시트 40 V 380 A 570 uOhms
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G 데이터시트 40 V 278 A 900 uOhms
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G 데이터시트 40 V 233 A 1.05 mOhms
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G 데이터시트 40 V 195 A 1.3 mOhms
NTMFS2D3N04XMT1G NTMFS2D3N04XMT1G 데이터시트 40 V 111 A 2.35 mOhms
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G 데이터시트 80 V 181 A 2.1 mOhms
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G 데이터시트 80 V 135 A 3 mOhms
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G 데이터시트 40 V 414 A 520 uOhms
게시일: 2024-01-16 | 갱신일: 2025-09-30