NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 5358 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

제조업체 번호:

NTMFWS1D5N08XT1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

데이터시트:

NTMFWS1D5N08XT1G 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NTMFWS1D5N08XT1G에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 14,461

재고:: 14,461 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 25 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩5,358.2	₩5,358
	₩3,504	₩35,040
	₩2,642.6	₩264,260
	₩2,292.2	₩1,146,100
	₩1,971	₩1,971,000
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩1,752	₩2,628,000
	₩1,722.8	₩5,168,400

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SO8FL-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	253 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.43 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.6 V
Qg - 게이트 전하:	83 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	194 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	9 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	176 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	9 ns
시리즈:	NTMFWS1D5N08X
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	43 ns
표준 턴-온 지연 시간:	24 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NTMFWS1D5N08XT1G 데이터시트

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFWS1D5N08X 단일 N-채널 MOSFET

Onsemi NTMFWS1D5N08X 단일 N-채널 MOSFET은 저Q_RR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 통합하여 스위칭 손실을 줄입니다. NTMFWS1D5N08X 장치는 전도 손실을 최소화하기 위해 저R_DS(온) 를 제공하여 효율적인 작동을 보장합니다. 또한 저Q_G 및 정전용량은 드라이버 손실 최소화에 기여합니다. Onsemi NTMFWS1D5N08X 단일 N-채널 MOSFET은 무연, 무할로겐, 무BFR이며 RoHS를 준수합니다.

PowerTrench 기술

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

에너지 저장 솔루션

onsemi 에너지 저장 시스템(ESS)은 석탄, 원자력, 풍력, 태양광 등 다양한 발전원에서 생산된 전기를 배터리(전기화학), 압축 공기(기계), 용융 염(열) 등 다양한 형태로 저장합니다. 이 솔루션은 태양광 인버터 시스템에 연결된 배터리 에너지 저장 시스템에 중점을 둡니다.