NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ 드라이브 레퍼런스 설계 장치

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ 드라이브 레퍼런스 설계 장치는 GD3160 게이트 드라이버 6개를 기반으로 하는 3상 인버터 회로를 시연합니다. GD3160은 SiC(탄화 규소) MOSFET 또는 IGBT를 구동 및 보호하기 위한 향상된 기능과 기능 안전을 갖춘 고급 단일 채널 고전압 절연 게이트 드라이버입니다. RDGD3160I3PH5EVB 하이 측 게이트 드라이버 3개 및 로우 측 게이트 드라이버 3개와 독립적으로 프로그래밍하고 통신하기 위한 SPI 데이지 체인 통신을 지원합니다. 이 레퍼런스 설계 장치에는 결함 관리 및 모든 지원 회로가 포함되어 있습니다. 이 보드의 다른 지원 기능으로는 불포화 단락 감지, IGBT/SiC 온도 감지, DC 링크 버스 전압 모니터링, 위상 전류 감지, 모터 리졸버 여자 및 신호 처리 연결 회로를 들 수 있습니다.

RDGD3160I3PH5EVB에는 PC와 인터페이스하기 위한 FRDM-KL25Z Freedom 개발 보드가 포함되어 있습니다. 플렉스 GUI 소프트웨어는 PC에 설치해야 하며, 이는 데이지 체인 또는 독립형 구성 중 하나로 SPI 레지스터를 통해 GD3160과 통신합니다. 사용자는 FlexGUI 소프트웨어를 사용하여 소프트웨어를 개발하지 않고도 이 GD3160 장치를 구성하고 단상에서 SC(단락) 또는 DPT(이중 펄스 테스트)를 수행할 수 있습니다.

RDGD31603PHSEVM은 onsemi VE-Trac SiC 모듈(포함되어 있지 않음) 또는 핀아웃이 동일한 다른 MOSFET 모듈의 호환 설치 공간에 연결하도록 설계되었습니다. 이 레퍼런스 설계 장치는 MPC5775x-EVB 마이크로컨트롤러 보드(포함되어 있지 않음)와도 호환되므로 NXP 소프트웨어 예제를 사용하여 전체 모터를 제어할 수 있습니다.

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM 레퍼런스 설계 장치는 전기 자동차용의 완전한 ASIL-D 호환 고전압 고출력 트랙션 모터 인버터를 개발하기 위한 기반으로 사용할 수 있습니다.

특징

위상 U에서 SC 및 DPT 테스트를 수행할 수 있는 기능
GD3160 게이트 드라이버 및 보호 회로로 구성 및 설계된 평가 보드
완전한 3상 평가 및 개발을 위해 하이브리드 드라이브 SiC 모듈에 연결하는 기능
데이지 체인 SPI 통신(하이 측 드라이버 3개 및 로우 측 게이트 드라이버 3개)
GND 레퍼런스 전압 및 -3.9V VEE 공급 전압을 제공하는 가변 플라이백 V_CC 전원 공급 장치
전원, 접지, 신호 테스트 포인트에 접근 용이성

MCU 제어 장치와 인터페이스하기 위한 32 PCIe 소켓
DC 버스 전압 모니터링을 위한 연결(옵션 사항)
위상 전류 피드백 연결
리졸버 신호 커넥터
주요 구성 요소
- SiC MOSFET/IGBT용 GD3160 자동차 게이트 드라이버
- MPC5777C Power Architecture® 마이크로컨트롤러
- FS6500 시스템 기반 칩
- TJA1042 고속 CAN 송수신기

필수 장비

SPI 통신을 위한 마이크로컨트롤러 보드
- FRDM-KL25Z(포함),MPC5777C- DEVB(포함되지 않음), MPC5775x-EVB(포함되지 않음) 권장
onsemi NVXR17S90M2SP VE-Trac SiC 모듈 또는 기타 호환 MOSFET 모듈(포함되어 있지 않음)