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RDGD31603PHSEVM

Name: NXP RDGD31603PHSEVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-RDGD31603PHSEVM
Price: 1164729 KRW
Availability: InStock

Mouser 번호:

771-RDGD31603PHSEVM

제조업체 번호:

RDGD31603PHSEVM

제조업체:

NXP Semiconductors

설명:

전원 관리 IC 개발 도구 RDGD31603PHSEVM

데이터시트:

RDGD31603PHSEVM 데이터시트 (PDF)

추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	NXP
제품 카테고리:	전원 관리 IC 개발 도구
RoHS:	N
제품:	Reference Design Boards
타입:	Inverter
입력 전압:	12 V
도구는 다음 평가를 위한 것임::	GD3160
브랜드:	NXP Semiconductors
인터페이스 타입:	SPI
제품 유형:	Power Management IC Development Tools
팩토리 팩 수량:	1
하위 범주:	Development Tools
부품번호 별칭:	935427963598

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문서 필터:

데이터시트

RDGD31603PHSEVM 데이터시트 (PDF)

USHTS:: 8473301180
TARIC:: 8473302000
ECCN:: EAR99

RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ 드라이브 레퍼런스 설계 장치

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ 드라이브 레퍼런스 설계 장치는 GD3160 게이트 드라이버 6개를 기반으로 하는 3상 인버터 회로를 시연합니다. GD3160은 SiC(탄화 규소) MOSFET 또는 IGBT를 구동 및 보호하기 위한 향상된 기능과 기능 안전을 갖춘 고급 단일 채널 고전압 절연 게이트 드라이버입니다. RDGD3160I3PH5EVB 하이 측 게이트 드라이버 3개 및 로우 측 게이트 드라이버 3개와 독립적으로 프로그래밍하고 통신하기 위한 SPI 데이지 체인 통신을 지원합니다. 이 레퍼런스 설계 장치에는 결함 관리 및 모든 지원 회로가 포함되어 있습니다. 이 보드의 다른 지원 기능으로는 불포화 단락 감지, IGBT/SiC 온도 감지, DC 링크 버스 전압 모니터링, 위상 전류 감지, 모터 리졸버 여자 및 신호 처리 연결 회로를 들 수 있습니다.