Vishay PowerPAK® 1212 MOSFET
Vishay POWERPAK ® 1212 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 이상적이고 약 1mΩ 의 다이온 저항을 제공하고 최대 85μA까지 처리할 수 있습니다. Vishay POWERPAK 1212에는 고성능 다이의 저하 위험을 줄여 주는 패키징 기술이 도입되어 있습니다. 이 패키지는 콤팩트한 설계 장치에 초저열 임피던스를 제공하므로 공간 제약이 있는 애플리케이션에 이상적입니다.
특징
- 스위칭 애플리케이션에 이상적
- 약 1mΩ의 다이온 저항, 최대 85A 처리 가능
- 콤팩트한 설계 장치로 초저 열 임피던스 제공
- 고성능 다이의 저하 위험을 완화하는 패키징 기술
- 공간에 제약이 있는 애플리케이션에 적합
애플리케이션
- 스위칭 애플리케이션
- 공간 제약형 애플리케이션
비디오
성능
주요 제품
Vishay / Siliconix SiS176LDN N-채널 70V (D-S) MOSFET
TrenchFET® Gen IV 전력 MOSFET 기술을 활용하며 PowerPAK® 1212-8 단일 패키지로 제공됩니다.
Vishay Semiconductors TrenchFET® Gen III Power MOSFETs
Offers low on-resistance and on-resistance times gate charge.
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFET
4.5V에서 최저 1.35mΩ의 업계 최저 온저항을 제공합니다.
Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET(VDS 포함)
매우 낮은 RDS x Qg FOM(성능 지수)으로 전력 변환 효율을 높입니다.
Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs
Industry-best on-resistance in a variety of package configurations.
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen III P채널 전력 MOSFET
낮은 온 저항, 낮은 전압 강하, 효율 증가 및 배터리 시간을 제공합니다.
Vishay / Siliconix SQ 자동차용 전력 MOSFET
AEC-Q101 인증 TrenchFET® 전력 MOSFET은 설계 유연성을 위해 다양한 패키지로 제공됩니다.
Vishay / Siliconix SQS414CENW 자동차용 N-채널 60V (D-S) 175°C MOSFET
TrenchFET® 전력 MOSFET 기술을 제공하며 PowerPAK® 1212-8W 단일 패키지로 제공됩니다.
Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V N-채널 MOSFET
열 성능을 향상시키는 소스 플립 기술을 활용하는 TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET.