SQS414CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQS414CENW-T1_GE3
SQS414CENW-T1_GE3

제조업체:

설명:
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

ECAD 모델:
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재고 상태: 2,495

재고:
2,495
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주문 중:
12,000
예상 2026-02-18
공장 리드 타임:
4
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩1,474.6 ₩1,475
₩943.2 ₩9,432
₩620.5 ₩62,050
₩489.1 ₩244,550
₩442.4 ₩442,400
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩382.5 ₩1,147,500
₩353.3 ₩2,119,800
₩316.8 ₩2,851,200
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
Vishay
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-8
N-Channel
1 Channel
60 V
18 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
8.9 nC
- 55 C
+ 175 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Vishay / Siliconix
구성: Single
하강 시간: 5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 9.6 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 4 ns
시리즈: SQS
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 15 ns
표준 턴-온 지연 시간: 8 ns
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

PowerPAK® 1212 MOSFET

Vishay  POWERPAK ® 1212 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 이상적이고 약 1mΩ 의 다이온 저항을 제공하고 최대 85μA까지 처리할 수 있습니다. Vishay POWERPAK 1212에는 고성능 다이의 저하 위험을 줄여 주는 패키징 기술이 도입되어 있습니다.  이 패키지는 콤팩트한 설계 장치에 초저열 임피던스를 제공하므로 공간 제약이 있는 애플리케이션에 이상적입니다.

SQS414CENW 자동차용 N-채널 60V (D-S) 175°C MOSFET

Vishay/Siliconix SQS414CENW 자동차 용 N-채널 60V(D-S) 175°C MOSFET은 TrenchFET®전력 MOSFET 기술을 제공하며 PowerPAK ® 1212-8W 단일 패키지로 제공됩니다. AEC-Q101 인증 SQS414CENW는 60V 드레인-소스 전압과 18A 연속 드레인 전류를 제공합니다. Vishay/Siliconix SQS414CENW 자동차용 N-채널 60V(D-S) 175°C MOSFET은 자동차 애플리케이션용으로 설계되었습니다.