SIS176LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS176LDN-T1-GE3
SIS176LDN-T1-GE3

제조업체:

설명:
MOSFET PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

ECAD 모델:
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재고 상태: 831

재고:
831
즉시 배송 가능
주문 중:
12,000
예상 2026-03-19
12,000
예상 2027-01-14
공장 리드 타임:
24
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩2,014.8 ₩2,015
₩1,286.3 ₩12,863
₩873.1 ₩87,310
₩697.9 ₩348,950
₩630.7 ₩630,700
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩546 ₩1,638,000
₩515.4 ₩3,092,400
₩492 ₩4,428,000
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
Vishay
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-8
N-Channel
1 Channel
70 V
42.3 A
10.9 mOhms
- 12 V, 12 V
1.6 V
12.6 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Vishay / Siliconix
구성: Single
하강 시간: 6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 60 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 6 ns
시리즈: SIS
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 25 ns
표준 턴-온 지연 시간: 10 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

PowerPAK® 1212 MOSFET

Vishay  POWERPAK ® 1212 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 이상적이고 약 1mΩ 의 다이온 저항을 제공하고 최대 85μA까지 처리할 수 있습니다. Vishay POWERPAK 1212에는 고성능 다이의 저하 위험을 줄여 주는 패키징 기술이 도입되어 있습니다.  이 패키지는 콤팩트한 설계 장치에 초저열 임피던스를 제공하므로 공간 제약이 있는 애플리케이션에 이상적입니다.

SiS176LDN N-채널 70V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiS176LDN N-채널 70V(D-S) MOSFET은 TrenchFET Gen IV 전력 MOSFET 기술을 활용합니다. SiS176LDN MOSFET은 매우 낮은 RDS Qg FOM(성능 지수)이 특징이며 최저 RDS Qoss FOM을 위해 튜닝되었습니다. Vishay/Siliconix SiS176LDN N-채널 70V(D-S) MOSFET은 동기식 정류, 1차 측 스위치, DC/DC 변환기 및 모터 드라이브 스위치 애플리케이션에 이상적입니다.