TrenchFET Gen III P채널 전력 MOSFET

Vishay/Siliconix TrenchFET® 3세대 P채널 전력 MOSFET은 낮은 온 저항과 낮은 전압 강하를 제공하여 효율이 향상되고 배터리 시간이 늘어납니다. 이런 전력 MOSFET은 다양한 패키지 크기로 제공됩니다. P-채널 MOSFET은 광범위한 애플리케이션을 수용하는 정격 온-저항을 제공합니다. 부하 스위치, 어댑터 스위치, 배터리 스위치, DC 모터 및 충전기 스위치에 사용됩니다.

결과: 5
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 102,985재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 30 V 12 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S 5,727재고 상태
36,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S P-Channel 1 Channel 20 V 127.5 A 2.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 72.2 nC, 157.2 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 10,255재고 상태
42,000예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 8 A 20 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 52.2 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806 3,775재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-0806-3 P-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 1.573 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET; PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 5,156재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 1 Channel 20 V 12 A 15 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 75 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel