STMicroelectronics EVALMASTERGAN4 평가 보드
STMicroelectronics EVALMASTERGAN4 평가 보드는 MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버용 데모 및 개발 플랫폼입니다. MASTERGAN4는 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 전력 트랜지스터를 통합하고 있는 고급 전력 시스템 인 패키지입니다. 통합형 전력 GaNs는 225mΩ RDS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 측에 전력을 신속하게 공급할 수 있습니다.
사용자는 STMicroelectronics EVALMASTERGAN4 평가 보드를 사용하여 완전한 PCB 설계 없이도 새로운 토폴로지를 빠르고 쉽게 만들 수 있습니다. EVALMASTERGAN4는 보드 내장형 프로그래밍 가능 데드타임 발생기에 단일 VCC 공급 전압(일반적으로 6V)을 제공합니다. 임베디드 선형 전압 조정기는 마이크로컨트롤러 또는 FPGA와 같은 저전압 로직 회로에 전력을 공급하는 3.3V 레일을 제공합니다.
EVALMASTERGAN4 보드에는 사용자 지정을 위한 빈 프로토타이핑 영역이 포함되어 있습니다. 사용자 지정 옵션으로 별도의 입력 신호 또는 단일 PWM 신호를 사용, 외부 부트스트랩 다이오드 사용, VCC 또는 PVCC를 위한 별도의 전원을 사용하는 것을 포함합니다.
사전 설치된 MASTERGAN4의 모든 핀에 액세스할 수 있습니다.
특징
- 9Mm x 9mm QFN 패키지에 MASTERGAN4가 사전 설치된 하프 브리지 평가 보드
- MASTERGAN4 공급 전압을 위해 구성된 나사 커넥터 또는 핀 스트립의 VCC 입력
- 단일 또는 보완 구동 신호로 MASTERGAN4를 구동하기 위한 완벽한 기능 세트
- 단일 PWM 신호를 독립적으로 조절 가능한 데드타임을 갖춘 이중 보완 LIN 및 HIN 신호로 변환하는 내장형 데드타임 발생기
- 외부 회로 공급을 위한 보드 내장형 3.3V 조정기(최대 50mA)
- 대용량 전원 토폴로지를 평가하기 위한 35°C/W 접합-주변 열 저항
- MASTERGAN4 GL 및 GH 핀 모니터링을 위한 고주파 커넥터
- 로우측 션트, 외부 부트스트랩 다이오드, 고전압, 고정전용량 벌크 커패시터를 위한 예비 설치 공간
- RoHS 준수
지원 장치
STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버
하프 브리지 구성으로 게이트 드라이버 및 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 통합합니다.
보드 레이아웃
설계 완성
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
게시일: 2021-03-24
| 갱신일: 2022-03-11