MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버

STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고압 드라이버는 하프 브리지 구성에서 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 모두 통합하여 고출력 밀도 전원 공급 장치를 구현했습니다. 통합 전력 GaN는 150mΩ RDS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 신속하게 공급할 수 있습니다.

결과: 14
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STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 501재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-31 2 Driver 1 Output 10 A 4.75 V 9.5 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Tray
STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 2,883재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT 2 Driver 1 Output 10 A 3.3 V 15 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 461재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-31 2 Driver 4 Output 4 A, 6.5 A 4.75 V 9.5 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver 1,274재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Half-Bridge SMD/SMT QFN-31 4 Output 17 A 4.75 V 9.5 V Non-Inverting - 40 C + 125 C MASTERGAN Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver 1,367재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Half-Bridge SMD/SMT QFN-31 4 Output 12 A 4.75 V 9.5 V Non-Inverting - 40 C + 125 C MASTERGAN Reel, Cut Tape

STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 115재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half-Bridge Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-31 2 Driver 3 Output 6.5 A 3.3 V 15 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Tray

STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 172재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT 2 Driver 1 Output 10 A 3.3 V 15 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Tray
STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power 207재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-31 2 Driver 4 Output 4 A 3.3 V 15 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Tray
STMicroelectronics 게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Half-Bridge Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-31 4 Output 12 A 4.75 V 9.5 V Non-Inverting - 40 C + 125 C MASTERGAN Tray

STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT 2 Driver 1 Output 10 A 4.75 V 9.5 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Reel
STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,560
배수: 1,560

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-31 2 Driver 4 Output 4 A, 6.5 A 4.75 V 9.5 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Tray
STMicroelectronics 게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,560
배수: 1,560

Half-Bridge Drivers Half-Bridge SMD/SMT 4 Output 12 A 4.75 V 9.5 V Non-Inverting - 40 C + 125 C MASTERGAN
STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Half-Bridge Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-31 2 Driver 3 Output - 40 C + 125 C MASTERGAN Reel
STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
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Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-31 2 Driver 4 Output 4 A 3.3 V 15 V - 40 C + 125 C MASTERGAN Reel