STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버
STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고압 드라이버는 하프 브리지 구성에서 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 모두 통합하여 고출력 밀도 전원 공급 장치를 구현했습니다. 통합 전력 GaN는 150mΩ RDS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 신속하게 공급할 수 있습니다.
STM MASTERGAN 드라이버는 하부 및 상부 구동 섹션 모두에서 UVLO 보호 기능을 제공합니다. 이 보호 기능은 전원 스위치가 낮은 효율 또는 위험한 조건에서 작동하지 않도록 방지하고 인터로킹 기능은 교차 전도 조건을 방지합니다. 확장된 입력 핀 범위를 통해 마이크로컨트롤러, DSP 장치 또는 홀 효과 센서와 쉽게 연동할 수 있습니다.
MASTERGAN 드라이버는 -40~125°C의 산업 온도 범위에서 작동하며 소형 9mm x 9mm QFN 패키지로 제공됩니다.
특징
- 하프 브리지 게이트 드라이버와 고전압 GaN 트랜지스터를 통합한 전력 시스템 인 패키지:
- BVDSS =650V
- RDS(ON) =150mΩ
- IDS(MAX) =10A
- 역전류 성능
- 역 복구 손실 없음
- 로우 측 및 하이 측 UVLO 보호
- 내부 부트스트랩 다이오드
- 인터로킹 기능
- 셧다운 기능을 위한 전용 핀
- 정확한 내부 타이밍 일치
- 3.3~15V 호환 입력(히스테리시스 및 풀다운 기능 제공)
- 과열 보호
- 자재 명세서 감소
- 초소형 및 간소화된 레이아웃
- 유연하고 용이하고 빠른 설계
애플리케이션
- 스위치 모드 전원 공급 장치
- 고전압 PFC, DC-DC 및 DC-AC 컨버터
- 충전기 및 어댑터
- UPS(무정 전전원 공급 장치) 시스템
- 태양광 전력
콘텐츠 스트림
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블록 선도
개발 도구
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완전한 PCB 설계없이 토폴로지를 신속하게 생성하는 MASTERGAN1L가 장착되어 있습니다.
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완전한 PCB 설계없이 토폴로지를 신속하게 생성하는 MASTERGAN4L가 장착되어 있습니다.
설계 완성하기
STMicroelectronics 표준 제품
범용 아날로그 IC, 이산 및 직렬 EEPROM을 위한 광범위한 즉시 교체 제품입니다.
| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 |
|---|---|---|
| MASTERGAN1 |  |
게이트 드라이버 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs |
| MASTERGAN2TR | |
게이트 드라이버 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs |
| MASTERGAN3TR | |
게이트 드라이버 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs |
| MASTERGAN1LTR | |
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver |
| MASTERGAN4LTR | |
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver |
| MASTERGAN4 | |
게이트 드라이버 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs |
| MASTERGAN2 | |
게이트 드라이버 High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs |
| MASTERGAN5 | |
게이트 드라이버 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power |
| MASTERGAN1L | |
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver |
| MASTERGAN1TR | |
게이트 드라이버 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs |