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Infineon Technologies CoolGaN™G3 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™G3 트랜지스터는 고전력 밀도 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 트랜지스터는 온 상태 저항이 매우 낮아 효율적인 전력 변환과 에너지 손실을 줄일 수 있습니다. 4가지 전압 옵션 (60V, 80V, 100V 또는 120V)으로 제공되는 Infineon CoolGaN G3 트랜지스터는 초저 게이트/출력 전하로 초고속 스위칭을 제공합니다. 이 트랜지스터는 열 관리를 향상시키고, 이중 측 냉각을 지원하는 소형 PQFN 패키지로 제공되며 까다로운 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이러한 특징 덕분에 CoolGaN G3 트랜지스터는 텔레콤, 데이터 센터 전원장치 및 산업용 전원 시스템과 같은 애플리케이션에 가장 적합합니다.

특징

  • 초고속 스위칭 및 고효율
  • 공간을 절약하고 매우 견고한 패키지
  • 역회복 전하 없음
  • 초저 게이트 및 출력 전하
  • 상단 열 방출을 위한 노출 다이
  • 습기 민감도 수준 (MSL)1
  • 산업용 등급 3mm x 5mm PG‑TSON‑6 패키지
  • 산업용 애플리케이션에 대한 JEDEC에 따라 완벽하게 인증
  • 무연, 무할로겐 및 RoHS 규격 준수

애플리케이션

  • 배터리 전원식 공구
  • e-모빌리티 및 UAV
  • 로봇공학 및 드론
  • 태양광 및 에너지 저장 시스템
  • 통신 및 데이터 센터
  • 저전력 SMPS
  • AC-DC 및 DC-DC 컨버터의 동기 정류

사양

  • 최대 연속 드레인-소스 전압: 60V, 80V, 100V 또는 120V
  • 최대 전력 손실: 45W
  • ±6.5 V최대 펄스 게이트-소스 전압
  • -4 0 V5.5 V게이트 소스 전압 범위
  • 1.2 V2.9 V게이트 임계 전압 범위
  • 0.5 Ω일반적인 게이트 저항
  • 1.9 mΩ3.7 mΩ최대 드레인 소스 온 상태 저항 범위
  • 정전용량
    • 1 100 pF1 700 pF최대 입력 범위
    • 550 pF770 pF최대 출력 범위
    • 6.4 pF22 pF최대 역방향 전송 범위
  • 일반적인 게이트 전하
    • 게이트-소스 전하 범위: 2.7nC에서 4.0nC
    • 게이트 임계 전하 범위: 2.0nC에서 2.9nC
    • 2.3nC ~ 3.6nC 게이트-드레인 충전 범위
    • 3.0nC ~ 4.7nC 스위칭 충전 범위
    • 10nC ~ 13nC 게이트 전하 총 범위
    • 2.7 V2.8 V게이트 고원 전압 범위
    • 37nC ~ 49nC 출력 충전 범위
  • 역방향 작동
    • 15 A16 A최대 역방향 연속 전류 범위
    • 284 A396 A최대 역 펄스 전류 범위
    • 3.4 V최대 소스-드레인 전압
    • 0nC 일반 역회복 전하
  • -40 °C+150 °C접합 온도 범위
  • 열 저항
    • 0.6°C/W 최대 접합부-케이스 상단 온도
    • 2.8°C/W 최대 접합부-케이스 바닥 온도
    • 60°C/W 일반 접합부-주변 1s0p
    • 38°C/W 일반 접합부-주변 2s2p

치수

기계 도면 - Infineon Technologies CoolGaN™G3 트랜지스터

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IGB070S10S1XTMA1 IGB070S10S1XTMA1 데이터시트 GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 데이터시트 GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 데이터시트 GaN FET CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 데이터시트 GaN FET CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 데이터시트 GaN FET MV GAN DISCRETES
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 데이터시트 GaN FET MV GAN DISCRETES
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 데이터시트 GaN FET MV GAN DISCRETES
게시일: 2025-03-31 | 갱신일: 2026-01-15