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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
데이터시트
9,101재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
데이터시트
9,960재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
데이터시트
3,526재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
데이터시트
2,724재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
데이터시트
3,024재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
데이터시트
3,677재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
데이터시트
3,270재고 상태
10,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
데이터시트
1,915재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN