CoolGaN™G3 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™G3 트랜지스터는 고전력 밀도 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 트랜지스터는 온 상태 저항이 매우 낮아 효율적인 전력 변환과 에너지 손실을 줄일 수 있습니다. 4가지 전압 옵션 (60V, 80V, 100V 또는 120V)으로 제공되는 Infineon CoolGaN G3 트랜지스터는 초저 게이트/출력 전하로 초고속 스위칭을 제공합니다. 이 트랜지스터는 열 관리를 향상시키고, 이중 측 냉각을 지원하는 소형 PQFN 패키지로 제공되며 까다로운 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이러한 특성 덕분에 CoolGaN G3 트랜지스터는 통신 장비, 데이터 센터 전원 공급 장치, 산업용 전력 시스템 등 다양한 응용 분야에서 최적의 선택이 됩니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES 10,735재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm 8,535재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm 3,933재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm 3,028재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm 3,527재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm 4,619재고 상태
5,000예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES 2,162재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES 4,547재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN