CoolGaN™ 100 V G3 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™ 100V G3 트랜지스터는 상시 오프, 강화 모드(E-모드) 전력 트랜지스터로, 소형 하우징으로 제공됩니다. 이 트랜지스터는 낮은 온 상태 저항을 갖추고있으므로, 이 장치는 까다로운 고전류 및 고전압 애플리케이션에서 안정 인 성능을 발휘하는 데서 이상적인 선택으로 됩니다. CoolGaN 트랜지스터는 열   관리를 개선하도록 설계되었습니다. 일반적인 애플리케이션에는 오디오 증폭기 솔루션, 광전지, 전기 통신 인프라, E-모릴리티, 로봇 및 드론이 포함됩니다.

결과: 5
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
데이터시트
3,840재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
데이터시트
3,399재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
데이터시트
2,250재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
데이터시트
5,415재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET MV GAN DISCRETES
데이터시트
1,225재고 상태
10,000예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN