|
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
₩5,708.6
-
1,750재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2090
신제품
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
1,750재고 상태
|
|
|
₩5,708.6
|
|
|
₩3,752.2
|
|
|
₩2,628
|
|
|
₩2,350.6
|
|
|
₩2,233.8
|
|
|
₩1,912.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
46 A
|
5.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
7.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
₩13,256.8
-
700재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2091
신제품
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
700재고 상태
|
|
|
₩13,256.8
|
|
|
₩9,095.8
|
|
|
₩7,270.8
|
|
|
₩5,927.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
126 A
|
2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
20 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
₩3,314.2
-
5,000재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2057
신제품
|
EPC
|
GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
5,000재고 상태
|
|
|
₩3,314.2
|
|
|
₩2,131.6
|
|
|
₩1,445.4
|
|
|
₩1,154.9
|
|
|
₩959.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,086.2
|
|
|
₩912.5
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
50 V
|
9.6 A
|
8.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
- EPC2305
- EPC
-
1:
₩11,899
-
8,900재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2305
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
|
|
8,900재고 상태
|
|
|
₩11,899
|
|
|
₩8,190.6
|
|
|
₩6,380.2
|
|
|
₩5,986
|
|
|
₩5,197.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
133 A
|
2.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
22 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2306
- EPC
-
1:
₩7,416.8
-
14,900재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2306
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
14,900재고 상태
|
|
|
₩7,416.8
|
|
|
₩4,934.8
|
|
|
₩3,533.2
|
|
|
₩3,358
|
|
|
₩3,182.8
|
|
|
₩2,730.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
63 A
|
3.1 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
12.3 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2307
- EPC
-
1:
₩7,416.8
-
14,784재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2307
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
14,784재고 상태
|
|
|
₩7,416.8
|
|
|
₩4,934.8
|
|
|
₩3,533.2
|
|
|
₩3,358
|
|
|
₩3,182.8
|
|
|
₩2,730.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
63 A
|
10 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
10.1 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
- EPC2050
- EPC
-
1:
₩9,563
-
2,455재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2050
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
|
|
2,455재고 상태
|
|
|
₩9,563
|
|
|
₩6,628.4
|
|
|
₩4,876.4
|
|
|
₩4,613.6
|
|
|
₩3,971.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-12
|
N-Channel
|
1 Channel
|
350 V
|
6.3 A
|
80 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
2.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
- EPC2071
- EPC
-
1:
₩10,833.2
-
990재고 상태
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2071
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
|
|
990재고 상태
|
|
|
₩10,833.2
|
|
|
₩7,343.8
|
|
|
₩5,548
|
|
|
₩4,526
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-22
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
64 A
|
2.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
18 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
- EPC2218A
- EPC
-
1:
₩8,760
-
4,677재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2218A
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
|
|
4,677재고 상태
|
|
|
₩8,760
|
|
|
₩6,088.2
|
|
|
₩4,409.2
|
|
|
₩4,380
|
|
|
₩3,577
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
60 A
|
3.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
10.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
- EPC2252
- EPC
-
1:
₩3,766.8
-
12,500재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2252
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
|
|
12,500재고 상태
|
|
|
₩3,766.8
|
|
|
₩2,438.2
|
|
|
₩1,679
|
|
|
₩1,343.2
|
|
|
₩1,122.7
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,284.8
|
|
|
₩1,095
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
8.2 A
|
11 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2308
- EPC
-
1:
₩7,621.2
-
6,000재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2308
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
6,000재고 상태
|
|
|
₩7,621.2
|
|
|
₩5,066.2
|
|
|
₩3,620.8
|
|
|
₩3,474.8
|
|
|
₩3,285
|
|
|
₩2,817.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
63 A
|
6 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
11.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2619
- EPC
-
1:
₩6,686.8
-
1,960재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2619
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
1,960재고 상태
|
|
|
₩6,686.8
|
|
|
₩4,409.2
|
|
|
₩3,139
|
|
|
₩2,905.4
|
|
|
₩2,759.4
|
|
|
₩2,365.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
29 A
|
3.3 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2055
- EPC
-
1:
₩4,745
-
12,470재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2055
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
12,470재고 상태
|
|
|
₩4,745
|
|
|
₩3,095.2
|
|
|
₩2,160.8
|
|
|
₩1,839.6
|
|
|
₩1,766.6
|
|
|
₩1,489.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
29 A
|
3.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
6.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
- EPC2206
- EPC
-
1:
₩7,752.6
-
4,900재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2206
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
|
|
4,900재고 상태
|
|
|
₩7,752.6
|
|
|
₩5,168.4
|
|
|
₩4,715.8
|
|
|
₩4,453
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-30
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
90 A
|
2.2 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
- EPC2215
- EPC
-
1:
₩7,752.6
-
12,462재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2215
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
|
|
12,462재고 상태
|
|
|
₩7,752.6
|
|
|
₩5,168.4
|
|
|
₩4,876.4
|
|
|
₩4,876.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
32 A
|
8 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
13.6 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
- EPC2014C
- EPC
-
1:
₩3,212
-
12,467재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2014C
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
|
|
12,467재고 상태
|
|
|
₩3,212
|
|
|
₩2,073.2
|
|
|
₩1,400.1
|
|
|
₩1,116.9
|
|
|
₩925.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,052.7
|
|
|
₩876
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
10 A
|
16 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
2 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2035
- EPC
-
1:
₩2,876.2
-
9,130재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2035
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
9,130재고 상태
|
|
|
₩2,876.2
|
|
|
₩1,839.6
|
|
|
₩1,235.2
|
|
|
₩981.1
|
|
|
₩808.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩899.4
|
|
|
₩747.5
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
1.7 A
|
45 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
880 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2036
- EPC
-
1:
₩2,876.2
-
12,440재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2036
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
12,440재고 상태
|
|
|
₩2,876.2
|
|
|
₩1,839.6
|
|
|
₩1,235.2
|
|
|
₩981.1
|
|
|
₩808.8
|
|
|
보기
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₩899.4
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₩747.5
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최소: 1
배수: 1
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SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
73 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
700 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2037
- EPC
-
1:
₩2,876.2
-
20,000재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2037
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
20,000재고 상태
|
|
|
₩2,876.2
|
|
|
₩1,839.6
|
|
|
₩1,235.2
|
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|
₩981.1
|
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|
₩899.4
|
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|
₩747.5
|
|
최소: 1
배수: 1
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|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
550 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
115 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2038
- EPC
-
1:
₩2,876.2
-
12,227재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2038
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
12,227재고 상태
|
|
|
₩2,876.2
|
|
|
₩1,839.6
|
|
|
₩1,235.2
|
|
|
₩981.1
|
|
|
₩899.4
|
|
|
₩747.5
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
0.5 A
|
3.3 Ohms
|
6 V
|
2.5 V
|
44 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
- EPC2040
- EPC
-
1:
₩2,555
-
7,500재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2040
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
|
|
7,500재고 상태
|
|
|
₩2,555
|
|
|
₩1,635.2
|
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|
₩1,090.6
|
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|
₩861.4
|
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|
₩706.6
|
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|
보기
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₩786.9
|
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|
₩638
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
15 V
|
3.4 A
|
30 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
745 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
- EPC2051
- EPC
-
1:
₩2,715.6
-
5,000재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2051
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
|
|
5,000재고 상태
|
|
|
₩2,715.6
|
|
|
₩1,737.4
|
|
|
₩1,163.6
|
|
|
₩921.3
|
|
|
₩757.7
|
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|
보기
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|
|
₩849.7
|
|
|
₩693.5
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
25 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
1.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
- EPC2052
- EPC
-
1:
₩3,358
-
12,500재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2052
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
|
|
12,500재고 상태
|
|
|
₩3,358
|
|
|
₩2,160.8
|
|
|
₩1,474.6
|
|
|
₩1,173.8
|
|
|
₩1,108.1
|
|
|
₩930
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
8.2 A
|
13.5 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
- EPC2054
- EPC
-
1:
₩3,650
-
12,500재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2054
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
|
|
12,500재고 상태
|
|
|
₩3,650
|
|
|
₩2,350.6
|
|
|
₩1,606
|
|
|
₩1,287.7
|
|
|
₩1,109.6
|
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|
보기
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|
₩1,238.1
|
|
|
₩1,093.5
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
3 A
|
43 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
2.9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
- EPC2059
- EPC
-
1:
₩6,438.6
-
2,480재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2059
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
|
|
2,480재고 상태
|
|
|
₩6,438.6
|
|
|
₩4,263.2
|
|
|
₩3,022.2
|
|
|
₩2,774
|
|
|
₩2,628
|
|
|
₩2,263
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
170 V
|
24 A
|
9 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
5.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|