EPC GaN FET

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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
채널 모드
상표명
EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
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1,750재고 상태
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SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
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700재고 상태
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SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
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5,000재고 상태
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SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
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8,892재고 상태
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SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
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14,796재고 상태
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SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
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14,254재고 상태
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SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
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2,355재고 상태
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SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
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990재고 상태
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SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
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4,998재고 상태
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SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
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4,617재고 상태
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SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
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12,500재고 상태
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SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
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6,000재고 상태
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SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
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1,650재고 상태
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SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 3.3 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
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12,400재고 상태
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SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
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4,775재고 상태
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SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
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12,137재고 상태
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SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
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11,918재고 상태
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SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
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9,099재고 상태
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SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
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12,370재고 상태
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SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
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19,980재고 상태
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SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
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12,203재고 상태
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SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 0.5 A 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
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4,600재고 상태
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릴: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
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4,500재고 상태
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SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
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12,500재고 상태
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배수: 1
릴: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
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12,500재고 상태
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배수: 1
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SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET