모든 결과 (160)

선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2,139재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

EPC 게이트 드라이버 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 6,984재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN 14,230재고 상태
6,000예상 2026-12-15
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/35A 16재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 2재고 상태
20예상 2027-03-04
최소: 1
배수: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN 6,169재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 14,185재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 11,330재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14,438재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 200V/30A 22재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/65A 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter 6재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board 1재고 상태
20예상 2027-01-08
최소: 1
배수: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC 레이저 드라이버 IC LASER DRVR 80V 15A 2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 4,984재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

EPC GaN FET eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 11,426재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 5,980재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 1,992재고 상태
18,000예상 2026-09-02
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 7,431재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8 18,724재고 상태
10,000예상 2026-12-04
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4 14,222재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500