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게이트 드라이버 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
- EPC23102
- EPC
-
1:
₩12,076.8
-
7,824재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC23102
신제품
|
EPC
|
게이트 드라이버 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
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7,824재고 상태
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최소: 1
배수: 1
:
3,000
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GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
- EPC2367
- EPC
-
1:
₩10,850.8
-
16,188재고 상태
-
6,000예상 2026-11-04
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2367
신제품
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EPC
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GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
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16,188재고 상태
6,000예상 2026-11-04
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최소: 1
배수: 1
:
3,000
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전원 관리 IC 개발 도구 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
- EPC91200
- EPC
-
1:
₩1,144,975
-
21재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC91200
신제품
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 40 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
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21재고 상태
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최소: 1
배수: 1
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전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/35A
- EPC90147
- EPC
-
1:
₩284,489.3
-
11재고 상태
-
20예상 2026-11-04
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90147
신제품
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 100V/35A
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11재고 상태
20예상 2026-11-04
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|
최소: 1
배수: 1
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|
전원 관리 IC 개발 도구 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
- EPC91118
- EPC
-
1:
₩580,745.4
-
22재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC91118
신제품
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 10 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
|
|
22재고 상태
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|
최소: 1
배수: 1
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GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
₩5,890.5
-
2,374재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2090
신제품
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
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2,374재고 상태
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
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|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
₩13,711.5
-
990재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2091
신제품
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
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|
990재고 상태
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|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
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|
게이트 드라이버 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
- EPC2152
- EPC
-
1:
₩12,894.2
-
491재고 상태
-
2,500예상 2026-12-24
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2152
신제품
|
EPC
|
게이트 드라이버 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
|
|
491재고 상태
2,500예상 2026-12-24
|
|
최소: 1
배수: 1
:
500
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
- EPC9196
- EPC
-
1:
₩1,152,147.8
-
10재고 상태
-
11예상 2027-03-04
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC9196
신제품
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 25 ARMS 3-Phase BLDC Motor Drive Reference Design Board
|
|
10재고 상태
11예상 2027-03-04
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|
최소: 1
배수: 1
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|
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
- EPC2305
- EPC
-
1:
₩12,415.1
-
8,841재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2305
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
|
|
8,841재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
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|
GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2361
- EPC
-
1:
₩13,500.1
-
11,735재고 상태
-
18,000예상 2027-02-18
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2361
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
11,735재고 상태
18,000예상 2027-02-18
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter
- EPC91106
- EPC
-
1:
₩687,407.8
-
3재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC91106
Mouser의 신규
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter
|
|
3재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
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|
|
전원 관리 IC 개발 도구 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter
- EPC9158
- EPC
-
1:
₩692,734.5
-
6재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC9158
Mouser의 신규
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 48V/54V Input to 12 V, 50 A Dual Phase Synchronous Buck Converter
|
|
6재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
₩3,523
-
11,014재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2057
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
11,014재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2204A
- EPC
-
1:
₩5,791.8
-
2,211재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2204A
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
2,211재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
- EPC2234
- EPC
-
1:
₩19,869.7
-
457재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2234
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
457재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN FET eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
- EPC2252
- EPC
-
1:
₩3,889.4
-
10,516재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2252
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
|
|
10,516재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
- EPC2619
- EPC
-
1:
₩7,384.2
-
6,959재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2619
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
|
|
6,959재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
- EPC2012C
- EPC
-
1:
₩5,820
-
27,907재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2012C
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
|
|
27,907재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
- EPC2037
- EPC
-
1:
₩2,959.3
-
26,805재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2037
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
|
|
26,805재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
- EPC2059
- EPC
-
1:
₩6,665.5
-
13,744재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2059
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
|
|
13,744재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
- EPC2215
- EPC
-
1:
₩10,005.3
-
9,995재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2215
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
|
|
9,995재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2306
- EPC
-
1:
₩7,680.1
-
8,347재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2306
Mouser의 신규
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
8,347재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Efficient Power Conversion
- EPC2029
- EPC
-
1:
₩16,036.7
-
340재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2029
Mouser의 신규
|
EPC
|
Efficient Power Conversion
|
|
340재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 150V/25A
- EPC90143
- EPC
-
1:
₩284,489.3
-
3재고 상태
-
Mouser의 신규
|
Mouser 부품 번호
65-EPC90143
Mouser의 신규
|
EPC
|
전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Development Board, 150V/25A
|
|
3재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
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