EPC 반도체

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EPC 게이트 드라이버 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN 5,840재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 100 V, 22 A Half-Bridge Development Board Using EPC23102 GaN ePower Stage IC 10재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 15 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC23104 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 35 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC2304 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1,750재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 High Power Density, Low Profile, Synchronous Buck and Boost Converter featuring EPC23104 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 40 A Peak 3-Phase Motor Drive Inverter Evaluation Board featuring EPC2305 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm 5,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC 파워 스위치 IC - 파워 분배 EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95 2,400재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC 게이트 드라이버 EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage 2,497재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm 8,900재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14,900재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 14,784재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 150 V, 25 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2305 10재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 100 V, 65 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2361 10재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 48 V/54 V Input to 12 V, 50 A Output Dual-Phase Synchronous Buck Converter Reference Design Board 10재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC 전원 관리 IC 개발 도구 2 kW 48 V/14 V, 140 A Bi-directional Power Module Evaluation Board featuring EPC2302 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 2,455재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 4,677재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

EPC GaN FET eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA 12,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 1,960재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 12,470재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500