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STMicroelectronics SiC MOSFET

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결과: 9

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패키지/케이스

트랜지스터 극성

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

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Pd - 전력 발산

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부품 번호

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩30,710
640재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
SCT012W90G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT012W90G3-4AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

640재고 상태

₩30,710

₩26,181.2

₩22,644

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
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502재고 상태
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STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

502재고 상태

₩26,714

₩21,386

₩18,485.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩35,860.4
600예상 2026-10-26

제조업체 부품 번호
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511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

600예상 2026-10-26

₩35,860.4

₩29,348.4

₩25,914.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
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Mouser 부품 번호
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STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

100주문 중

₩16,842.4

₩13,719.6

₩11,425.6

₩10,182.4

₩8,643.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩27,454
비재고 리드 타임 17 주
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Mouser 부품 번호
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

데이터시트

비재고 리드 타임 17 주

₩27,454

₩21,978

₩19,003.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
600: ₩17,360.4
비재고 리드 타임 17 주
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제조업체 부품 번호
SCT025W120G3-4

Mouser 부품 번호
511-SCT025W120G3-4

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

데이터시트

비재고 리드 타임 17 주

₩17,360.4

최소: 600
배수: 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: ₩16,176.4
비재고 리드 타임 17 주
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제조업체 부품 번호
SCT070W120G3-4

Mouser 부품 번호
511-SCT070W120G3-4

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 17 주

₩16,176.4

₩9,664.4

₩8,228.8

₩7,666.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩17,967.2
비재고 리드 타임 17 주
신제품

제조업체 부품 번호
SCT070W120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT070W120G3AG

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 17 주

₩17,967.2

₩14,622.4

₩12,195.2

₩10,863.2

₩9,220.4

최소: 1
배수: 1

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
1: ₩26,699.2
비재고 리드 타임 32 주
NRND

제조업체 부품 번호
SCTWA40N120G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 32 주

₩26,699.2

₩20,335.2

₩17,094

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

STMicroelectronics SiC MOSFET

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