SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET

STMicroelectronics 자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET은 ST의 진보되고 혁신적인 2세대/3세대 SiC MOSFET 기술을 사용하여 개발되었습니다. 이 장치 는 단위 면적당 낮은 온 상태 저항과 매우 우수한 스위칭 성능이 특징입니다. 이 MOSFET은 매우 높은 작동 온도 성능 (TJ = 200°C)과 매우 빠르고 견고한 고유 본체 다이오드가 특징입니다.

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결과: 21

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장착 스타일

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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부품 번호

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩34,047.2
922재고 상태
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SCT016H120G3AG

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511-SCT016H120G3AG

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STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

922재고 상태

컷 테이프

₩34,047.2

₩24,615.6

₩24,601

₩24,571.8

릴

₩20,075

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: ₩36,514.6
274재고 상태
600예상 2026-03-09
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

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274재고 상태

600예상 2026-03-09

컷 테이프

₩36,514.6

₩26,834.8

₩26,820.2

릴

₩21,914.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩30,295
640재고 상태
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

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640재고 상태

₩30,295

₩25,827.4

₩22,338

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩29,944.6
739재고 상태
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

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739재고 상태

컷 테이프

₩29,944.6

₩24,805.4

₩21,447.4

릴

₩19,899.8

견적

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩27,886
513재고 상태
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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

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513재고 상태

₩27,886

₩23,009.6

₩22,819.8

₩22,425.6

보기

최소: 1
배수: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩26,353
502재고 상태
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SCT025W120G3AG

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SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

502재고 상태

₩26,353

₩21,097

₩18,235.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩19,724.6
1,011재고 상태
600예상 2027-01-04
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SCT040HU120G3AG

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511-SCT040HU120G3AG

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STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

1,011재고 상태

600예상 2027-01-04

컷 테이프

₩19,724.6

₩13,811.6

₩12,176.4

릴

₩11,942.8

₩10,322.2

견적

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩25,053.6
14재고 상태
2,000예상 2026-10-12
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SCT025H120G3AG

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511-SCT025H120G3AG

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STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

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14재고 상태

2,000예상 2026-10-12

컷 테이프

₩25,053.6

₩17,782.8

₩16,600.2

릴

₩13,548.8

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: ₩30,003
160재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT012H90G3AG

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511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

160재고 상태

컷 테이프

₩30,003

₩21,549.6

₩20,936.4

릴

₩17,096.6

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩19,038.4
629재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040W120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

629재고 상태

₩19,038.4

₩13,315.2

₩10,074

₩9,519.2

₩9,504.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩18,512.8
142재고 상태

제조업체 부품 번호
SCT040HU65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

142재고 상태

컷 테이프

₩18,512.8

₩12,979.4

₩11,285.8

릴

₩9,227.2

₩9,212.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩19,929
73재고 상태
1,200예상 2026-02-27

제조업체 부품 번호
SCT070HU120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해

데이터시트

73재고 상태

1,200예상 2026-02-27

컷 테이프

₩19,929

₩13,957.6

₩12,351.6

릴

₩10,074

최소: 1
배수: 1

릴: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: ₩25,112
593재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTW40N120G2VAG

Mouser 부품 번호
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

593재고 상태

₩25,112

₩15,578.2

₩13,607.2

₩13,592.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: ₩25,637.6
90재고 상태

제조업체 부품 번호
SCTWA40N12G24AG

Mouser 부품 번호
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

90재고 상태

₩25,637.6

₩18,220.8

₩14,045.2

₩13,957.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩35,375.8
600예상 2026-07-27

제조업체 부품 번호
SCT015W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

600예상 2026-07-27

₩35,375.8

₩28,951.8

₩25,564.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ₩26,528.2
1,200주문 중

제조업체 부품 번호
SCT025W120G3-4AG

Mouser 부품 번호
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

1,200주문 중

₩26,528.2

₩21,243

₩18,366.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: ₩18,512.8
996예상 2026-04-22

제조업체 부품 번호
SCT040H120G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

996예상 2026-04-22

컷 테이프

₩18,512.8

₩12,979.4

₩11,285.8

₩11,271.2

릴

₩9,212.6

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: ₩18,264.6
1,113예상 2026-02-23

제조업체 부품 번호
SCT055HU65G3AG

Mouser 부품 번호
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

1,113예상 2026-02-23

컷 테이프

₩18,264.6

₩12,877.2

₩11,169

릴

₩9,125

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

릴: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: ₩24,498.8
100주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
SCT025H120G3-7

Mouser 부품 번호
511-SCT025H120G3-7

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

100주문 중

컷 테이프

₩24,498.8

₩18,950.8

₩16,381.2

릴

₩16,381.2

최소: 1
배수: 1

릴: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: ₩16,614.8
100주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
SCT040W120G3-4

Mouser 부품 번호
511-SCT040W120G3-4

신제품

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

데이터시트

100주문 중

₩16,614.8

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HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

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56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
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NRND

제조업체 부품 번호
SCTWA40N120G2V

Mouser 부품 번호
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해

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HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

자동차 등급 탄화 규소 전력 MOSFET

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