STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015 데모 보드

사용자는 STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015 데모 보드를 통해 STDRIVEG600 고속 하프 브리지 게이트 드라이버를 평가할 수 있습니다. STDRIVEG600는 고전압 강화 모드 질화갈륨 HEMT를 구동하도록 최적화 되었습니다. 이 장치는 통합 부트스트랩 다이오드가 특징이며 질화갈륨 HEMT에 맞게 맞춤화된 부족 전압 보호 기능과 함께 최대 20V의 외부 스위치를 공급합니다.

STMicro EVSTDRIVEG60015 보드는 사용하기 쉽고 SGT120R65AL 75mΩ(표준), 650V E- 모드 질화갈륨 스위치를 구동하는 STDRIVEG600 의 특성을 빠르게 평가할 수 있습니다. 이 보드는 마이크로 컨트롤러와 같은 외부 논리 컨트롤러에 전력을 공급하는 보드 내장형 프로그래밍 가능 불감 시간 발생기와 3.3V 선형 전압 레귤레이터를 제공합니다.

포함된 예비 설치 면적은 별도의 LIN 및 HIN 입력 신호 또는 단일 PWM 신호, 옵션 외부 부트스트랩 다이오드 사용, VCC, PVCC 또는 부팅용 개별 전원 및 피크 전류 모드 토폴로지를 위한 로우 측 션트 저항기 사용과 같은 최종 애플리케이션을 위한 보드 사용자 정의를 지원합니다. EVSTDRIVEG60015은 50mm x 70mm 너비의 FR-4 PCB로 정체 공기에서 +25°C/W R_{th (J’A)} 를 제공합니다.