EVSTDRIVEG60015

Name: STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVSTDRIVEG60015
Price: 191610 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-EVSTDRIVEG60015

제조업체 번호:

EVSTDRIVEG60015

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

전원 관리 IC 개발 도구 Demo board STDRIVEG600 600V half-bridge gate driver SGT120R65AL GaN HEMT

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	전원 관리 IC 개발 도구
RoHS:
제품:	Demonstration Boards
타입:	Gate Driver
입력 전압:	4.75 V to 6.5 V
출력 전압:	3.3 V
도구는 다음 평가를 위한 것임::	STDRIVEG600
브랜드:	STMicroelectronics
치수:	50 mm x 70 mm
포장:	Bulk
제품 유형:	Power Management IC Development Tools
팩토리 팩 수량:	1
하위 범주:	Development Tools
단위 중량:	80 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

EVSTDRIVEG60015 데이터시트 (PDF)

KRHTS:: 9030820000
CNHTS:: 8543709990
CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
TARIC:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: EAR99

EVSTDRIVEG60015 데모 보드

사용자는 STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015 데모 보드를 통해 STDRIVEG600 고속 하프 브리지 게이트 드라이버를 평가할 수 있습니다. STDRIVEG600는 고전압 강화 모드 질화갈륨 HEMT를 구동하도록 최적화 되었습니다. 이 장치는 통합 부트스트랩 다이오드가 특징이며 질화갈륨 HEMT에 맞게 맞춤화된 부족 전압 보호 기능과 함께 최대 20V의 외부 스위치를 공급합니다.