STMicroelectronics STDRIVEG600 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG600 하프 브리지 게이트 드라이버는 GaN(질화 갈륨 ) eHEMT(강화 모드 고전 자 이동도 트랜지스터) 또는 N 채널 전력 MOSFET용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버 입니다. STDRIVEG600의 하이 측은 최대 600V의 전압에 견디도록 설계되었으며 버스 전압이 최대 500V인 설계 장치에 적합합니다. 이 장치는 높은 전류 성능, 짧은 전파 지연 및 5V 미만의 공급 전압으로 작동하므로 고속 GaN 및 실리콘 FET를 구동하는 데 이상적입니다.

STDRIVEG600은 하부 및 상부 구동 섹션 모두에서 UVLO(부족 전압 록 아웃) 보호 기능을 갖추고 있어 전원 스위치가 저 효율 또는 위험한 조건에서 작동하지 않도록 합니다. 이 장치는 교차 전도 조건을 제거하는 연동 기능도 포함하고 있습니다.

로직 입력은 3.3V까지 cmos/TTL 호환되므로 마이크로 컨트롤러 및 DSP와 쉽게 연동할 수 있습니다.

STMicroelectronics STDRIVE600 하프 브리지 게이트 드라이버는 SO-16 패키지로 제공되며 작동 접합 온도 범위는 -40°C~150°C 입니다.

The STDRIVEG210 and the STDRIVEG211 are two new high-voltage half-bridge gate drivers for N channel Enhancement Mode GaN with High voltage rail up to 220 V. Both the STDRIVEG210 and STDRIVEG211 feature the high-side driver section to stand a voltage rail up to 220 V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG210 and the STDRIVEG211 optimized for driving high-speed GaN.

The STDRIVEG210 features supply UVLOs tailored to fast startup and low consumption soft-switching applications, but with full hard switching support and interlocking to avoid cross-conduction conditions. The high-side regulator is characterized by very short wake-up time to maximize the application efficiency during intermittent operation (burst mode).

The STDRIVEG211 features supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions and an overcurrent comparator with SmartSD. The input pins extended range allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows to reduce the power consumption during inactive periods or burst mode.

Both the STDRIVEG210 and the STDRIVEG211 operate in the industrial temperature range, -40 °C to 125 °C. The devices are available in a compact QFN 4x5x1 mm package with 0.5 mm pitch.