ROHM Semiconductor N-채널 SiC 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor의 N-채널 SiC(탄화 규소) 전력 MOSFET은 스위칭 중 잔여 전류가 없어서 작동 시간은 빨라지고 스위칭 손실은 감소했습니다. 또한 낮은 온 상태 저항이 전력 손실을 최소화하고 에너지를 절약합니다.
The SiC MOSFET attributes are especially valuable in medical imaging equipment. Its nearly instantaneous switching abilities enable manufacturers to build high-voltage switches for X-ray machines that allow technicians to better control radiation exposure during tests yet still produce quality results. In manufacturing, the ROHM SCT2080KE MOSFET improves the efficiency of pulse generators by delivering a steep rise time that increases productivity.
특징
- 낮은 온 상태 저항
- 120mΩ(650V)
- 80~450mΩ(1,200V)
- 750~1,150mΩ(1,700V)
- 고속 스위칭
- 전력 손실 대폭 감소
- 간편한 병렬 연결
- 간단한 구동 방식
- 무연 도금
- 빠른 역회복
- RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 스위칭 모드 전원장치
- 태양광 인버터
- UPS
- EV 충전기
- 유도 가열 장비
- 모터 드라이브
- 기차
- 풍력 변환기
비디오
Development Tools
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