ROHM Semiconductor SiC 전력 모듈
ROHM Semiconductor의 SiC 전력 모듈은 SiC MOSFET과 SiC SBD가 집적된 하프 브리지 모듈입니다. 모듈들은 스위칭 손실이 감소해서 고주파 운용을 지원합니다. 최적화된 회로 설계 덕분에 기존 솔루션보다 부유 유도용량이 감소했습니다. 과도한 발열을 방지하기 위해 서미스터가 추가로 집적된 E 유형의 모델도 생산됩니다.
특징
- 손실이 적고 빠른 스위칭:
- 스위칭 손실이 낮아 고주파 운용 가능
- 유사한 등급의 IGBT 모듈보다 스위칭 손실이 현저하게 감소
- 안전한 회로 설계로 대전류 지원:
- 서미스터가 집적되어 과도한 발열 방지
- 최대 접합부 온도: +175°C
- 양의 RDS(on) 계수 덕분에 간편한 병렬 작동 가능
- 턴오프 중 잔여 전류 없음
- VDSS: 1,700V
- ID 등급: 80~600A
- SPICE 및 열 모형 제공
- 3세대 TRENCH 기술 덕분에 낮은 입력 정전용량(Ciss) 및 낮은 게이트 전하(Qg) 전달
- 2세대 평면 기술 덕분에 더욱 길어진 단락 강도 시간
- 보디 다이오드 사용에 대한 제한 없음
애플리케이션
- 유도 가열용 인버터
- 모터 드라이브 인버터
- 양방향 변환기
- 태양광 인버터
- 파워 컨디셔너
스위칭 손실 비교
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Half-bridge module integrates a Sic DMOSFET and SiC Schottky Barrier Diode.
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| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 | Pd - 전력 발산 |
|---|---|---|---|
| BSM300C12P3E201 |  |
MOSFET 모듈 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET | 1.36 kW |
| BSM180D12P3C007 | |
MOSFET 모듈 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD | 880 W |
| BSM180C12P2E202 | |
MOSFET 모듈 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 | 1.36 kW |
| BSM180D12P2C101 | |
MOSFET 모듈 Mod: 1200V 180A (no Diode) | 1.36 kW |
| BSM120D12P2C005 | |
MOSFET 모듈 Mod: 1200V 120A (w/ Diode) | 935 W |
| BSM450D12P4G102 | |
MOSFET 모듈 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET | 1.45 kW |
| BSM300D12P4G101 | |
MOSFET 모듈 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET | 925 W |
| BSM600D12P4G103 | |
MOSFET 모듈 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET | 1.78 kW |
| BSM250D17P2E004 | |
MOSFET 모듈 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module | 1.8 kW |
| BSM300D12P2E001 | |
MOSFET 모듈 300A SiC Power Module | 1.875 kW |
게시일: 2016-07-29
| 갱신일: 2024-09-30