SiC 쇼트키 다이오드 – Mouser 대한민국

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TO-220ACG SiC 쇼트키 배리어 다이오드

ROHM Semiconductor TO-220ACG SiC(탄화 규소) SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 650~1,200V 역 전압 범위와 1.2~20.0µA 연속 역 전류 범위가 특징입니다. SiC 기술을 사용하여 이 장치가 낮은 정전용량 충전(Q_C)을 유지하고 스위칭 손실을 줄이고 고속 스위칭 작동이 가능합니다. 또한, 온도에 따라 역회복 시간이 증가하는 Si 기반 고속 회복 다이오드와 달리 SiC 소자는 일정한 특성을 유지하여 성능이 향상됩니다.

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부품 번호

SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY

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Through Hole

TO-220ACG-2

Single

15 A

1.2 kV

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62 A

300 uA

+ 175 C

Tube

SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen

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TO-220ACG-2

Single

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TO-220ACG-2

Single

10 A

650 V

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38 A

200 uA

+ 175 C

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TO-220ACG-2

Single

8 A

650 V

1.55 V

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TO-220ACG-2

Single

5 A

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Through Hole

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Single

10 A

1.2 kV

1.6 V

42 A

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+ 175 C

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Through Hole

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Single

20 A

1.2 kV

1.6 V

79 A

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TO-220ACG-2

Single

12 A

650 V

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Single

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비재고 리드 타임 21 주
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견적

Through Hole

TO-220ACG-2

Single

6 A

650 V

1.55 V

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