onsemi NVHL110N65S3F 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NVHL110N65S3F 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET은 낮은 온저항과 낮은 게이트 충전 성능을 위해 대전 균형 기술을 활용하는 고전압 AEC-Q101 인증 수퍼 접합(SJ) MOSFET입니다. 대전 균형 기술은 전도 손실을 최소화하여 탁월한 스위칭 성능을 제공하고 극한 dV/dt 속도를 견딜 수 있는 능력을 가능케 합니다. NVHL110N65S3F SUPERFET III MOSFET은 소형화와 높은 효율을 필요로 하는 전력 시스템에 이상적입니다. NVHL110N65S3F는 또한 역방 향 회복 바디 다이오드가 최적 화된 기능을 사용하여 뛰어난 성능, 감소 의결과를 가져 왔습 필요한 추가 부품 및 향상된 시스템 안정성을 제공합니다.

NVHL110N65S3F SUPERFET III Power MOSFET은 3-Lead TO-247 롱리드 패키지로 제공됩니다. 이 장치는 무연이며 RoHS 규격을 준수합니다. NVHL110N65S3F는 AEC-Q101 인증했으며 PPAP가 가능하므로, 자동차 애플리케이션에 이상적입니다.

특징

  • AEC-Q101 인증 및 PPAP 가능
  • 700V @ TJ= 150°C
  • 일반 RDS(on)= 93mΩ
  • 초저 게이트 전하량 (일반 Qg= 58nC)
  • 낮은 유효 출력 정전 용량 (일반 Coss(eff.)= 553μF)
  • 훌륭한 바디 다이오드 성능 (낮은 Qrr, 견고한 본체 다이오드)
  • 최적화된 정전용량
  • 낮은 온도 작동시 높은 시스템 안정성
  • 낮은 스위칭 손실
  • LLC 및 위상 전환 풀 브리지 회로에서 높은 시스템 안정성
  • 낮은 피크 Vds 및 낮은 Vgs 진폭
  • 100% 애벌랜치 테스트를 거친 제품
  • 패키지 유형: TO-247 롱리드
  • 무연, RoHS 규격 준수

애플리케이션

  • 자동차용 온보드 충전기 EV/HEV
  • HEV-E를 위한 자동차용 DC-DC 컨버터

게이트 대전 테스트 회로

애플리케이션 회로도 - onsemi NVHL110N65S3F 650V 30A SUPERFET® III Power MOSFET

저항 스위칭 테스트 회로

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유도 스위칭 테스트 회로

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게시일: 2019-02-28 | 갱신일: 2024-01-25